企业视频展播，请点击播放视频作者：苏州振鑫焱光伏科技有限公司超高速沟道IGBT也提供方形反向偏压工作区、高175℃结温，还可承受4倍的额定电流。为了要显示它们的耐用性，这些功率器件也经过100%钳位电感负载测试。与高侧不同，通态耗损支配了低侧IGBT。因为低侧晶体管的工作频率只有60Hz，开关损耗对这些器件来说微不足道。标准速度平面IGBT是特别为低频率和较低通态耗损而设计。所以，随着低侧器件于60Hz进行开关，这些IGBT要通过采用标准速度平面IGBT来达到的低功率耗损水平。因为这些器件的开关损耗非常少，标准速度平面IGBT的总耗散并没有受到其开关耗损所影响。基于这些考虑，标准速度IGBTIRG4BC20SD因此成为低功率器件的选择。一个第四代IGBT与超高速软***反向并联二极管协同封装，并且为低饱和电压和低工作频率(<1kHz)进行优化。在10A下的典型Vce(on)为1.4V。针对低正向降及反向漏电流，跨越低侧IGBT的协同封装二极管已经优化了，以在续流和反向***期间把损耗降到低。用于桥接和开关和二极管另一个值得探讨的选择是采用FGH30N60***器件。它是一颗饱和电压VCE(SAT)只有1.1V的30A/600VIGBT。其关断损耗EOFF非常高，达10mJ，回收太阳能光伏电池片硅片价格，故只适合于低频转换。一个50毫欧的MOSFET在工作温度下导通阻抗***(ON)为100毫欧。因此在11A时，具有和IGBT的VCE(SAT)相同的VDS。由于这种IGBT基于较旧的击穿技术，VCE(SAT)随温度的变化不大。因此，这种IGBT可降低输出桥中的总体损耗，从而提高逆变器的总体效率。FGH30N60***IGBT在每半周期从一种功率转换技术切换到另一种拓扑的做法也十分有用。IGBT在这里被用作拓扑开关。在较快速的转换时则使用常规及快速***超结器件。对于1200V的拓扑及全桥结构，前面提到的FGL40N120AND是非常适合于新型高频太阳能逆变器的开关。当技术需要二极管时，StealthII、Hyperfast?II二极管及碳硅二极管是很好的解决方案。逆变器把直流电转换为交流电的效率，目前，欧洲逆变器效率普遍较高，可达到97.2%。5、启动性能启动性能是指逆变器带负载启动的能力和动态工作的性能。逆变器在额定负级下应能保证其正常启动。一般电阻性负载工作时，逆变器启动性能较好。但如果是电感性负载，如电动机、冰箱、空调或大功率水泵启动时，功率可能是额定功率的几倍以上。通常***负载启动时，逆变器将承受较大的浪涌功率。故逆变器的启动性能要求在***或其他负载启动时，逆变器内部器件能承受多次满负荷启动而不致使功率器件损坏。)