企业视频展播，请点击播放视频作者：苏州振鑫焱光伏科技有限公司光电转换效率对电信领域中关键有效负荷进行保障的经验使生产商将电信零电压、零电流切换技术移植到有同等严格要求的并网逆变器应用中，而无须在设备寿命或可靠性方面让步。为了减小磁性器件的体积，更快速的开关MOSFET器件被用于替代比较慢的IGBT器件，并成为逆变器领域中的关键器件。对于世界范围内的太阳能电池光伏产业，具有挑战性的降成本努力关乎到企业的生存。实际上，欧洲的研究已经开始转向无变压器拓扑中的更高开关频率，其目的是通过调整逆变器的体积和重量来减小逆变器的总体体积，进而也降低了维护成本。然而这项研究使用了实验性质的碳化硅（SiliconCarbide：SiC）技术器件，该器件的可靠性和硅MOSFET器件的电流能力还没有得到证实。但是，应用于通过降低重量和实现低成本面板中的逆变器和业界降低系统成本的努力是一致的。沟道和平面IGBT为了要同时把谐波和功率损耗降到低，逆变器的高侧IGBT利用了脉宽调制(PWM)，同时低侧功率器件就用60Hz进行变化。通过把PWM频率定在20kHz或以上操作，高侧IGBT有50/60Hz调制，输出电感器L1和L2便可以保持实际可行的较少尺寸，提供有效的谐波滤波。再者，逆变器的可听声也可以降到低，因为开关频率已经高于人类的听觉范围。我们研究过采用不同IGBT组合的各种开关技术后，认定能够实现低功率耗损和高逆变器性能的组合，是高侧晶体管利用超高速沟道IGBT，而低侧部分就采用标准速度的平面器件。与快速和标准速度平面器件比较，开关频率在20kHz的超高速沟道IGBT提供低的总通态和开关功率损耗组合。高侧晶体管的开关频率为20kHz的另外一个优点，是输出电感器有合理的小尺寸，同时也容易进行滤波。在低侧方面，我们把标准速度平面IGBT的开关频率定在60Hz，使功率损耗可以保持在低的水平。电容器基础知识薄膜和铝电容器是两种在平行基板电容器基础上演变出来的电容器。图2显示了这两种电容器的基本结构，标出了主要的不同点。在太阳能逆变器中，用做能量缓冲器的薄膜电容器由两层卷绕在一起的金属化聚丙烯组成。聚丙烯的厚度决定了电压等级，电压等级可以达到数千伏。聚丙烯上的金属化部分通过喷洒在卷绕膜上的金属微粒实现接触。接头引线就焊在这个金属化部分上。铝电容器由两层铝箔组成，中间夹着一层或两层纸，用导电液体即电解液填充。接头焊在每个铝层上。顶层铝有孔洞，以增加表面积，上面覆盖一个厚氧化物层。第二层铝只用来接触电解液。电压等级受氧化物层厚度和电解液成分的限制，在实际应用中一般在500V左右。)