5V低容瞬变二极管ESD静电防护器件ESD5301NUltra-LowCapacitance1-LineESDprotection低电容瞬态电压***器二极管阵列DevicePackageShippingESD5301N-2/TRDFN1006-2L10000/Tape&Reel一：ESD静电二极管ESD5301N-2/TR参数：封装：DFN1006-2L电压：5.0V击穿电压：7.0--9.0V钳位电压：11V容值：0.65pF功率：60W二：ESD静电二极管ESD5301N-2/TR特性：1、小体积外形尺寸2、在8x20μs脉冲下峰值功率可达60W3、低漏电流4、响应时间通常小于1ns5、依据***模型ESD额定值为三级(＞16kV)6、IEC61000-4-2(ESD)±15kV(空气),±8kV(接触)7、IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ηs)DL0501P1单向TVS5V0.8PF@1MHzDL0521P1双向TVS5V0.25PF@1MHzDL3321P1双向TVS3.3V0.3PF@1MHzESD静电保护二极管参数详解•VRWM：反向截止电压、通俗地讲，就是ESD允许施加的工作电压，在该电压下ESD处于截止状态，此时ESD的漏电流很小，为几微安甚至更低。•VBR：击穿电压，击穿电压是ESD要开始动作（雪崩击穿）的电压，一般在规定的电流下测量，通常在大小为1mA的电流下测量。•IR：反向漏电流，即在ESD器件两端施加VRWM电压下测得ESD的漏电流。•IPP：峰值脉冲电流，一般采用8/20μs的波形测量。•VC：钳位电压，在给定大小的IPP下测得ESD两端的电压。大部分ESD产品VC与VBR及IPP成正比关系。•CJ：结电容，ESD的结电容与ESD的芯片面积、工作电压有关系。对于相同电压ESD产品，芯片面积越大结电容越大；对于相同芯片面积的ESD，工作电压越高结电容就越低。)