企业视频展播，请点击播放视频作者：苏州振鑫焱光伏科技有限公司2、扩散扩散是为电池片制造心脏，是为电池片制造P-N结，POCl3是当前磷扩散用较多的选择。POCl3为液态磷源，液态磷源扩散具有生产效率较高、稳定性好、制得PN结均匀平整及扩散层表面良好等优点。POCl3在大于600℃的条件下分解生成***（PCl5）和***（P2O5），PCl5对硅片表面有腐蚀作用，当有氧气O2存在时，PCl5会分解成P2O5且释放出***，所以扩散通氮气的同时通入一定流量的氧气。P2O5在扩散温度下与硅反应，生成二氧化硅和磷原子，生成的P2O5淀积在硅片表面与硅继续反应生成SiO2和磷原子，并在硅片表面形成磷-硅玻璃（PSG），磷原子向硅中扩散，制得N型半导体。二、表面制绒单晶硅绒面的制备是利用硅的各向异性腐蚀，在每平方厘米硅表面形成几百万个四面方锥体也即金字塔结构。由于入射光在表面的多次反射和折射，增加了光的吸收，提高了电池的短路电流和转换效率。硅的各向异性腐蚀液通常用热的碱性溶液，可用的碱有***，***和***等。大多使用廉价的浓度约为1%的***稀溶液来制备绒面硅，腐蚀温度为70-85℃。为了获得均匀的绒面，还应在溶液中酌量添加醇类如乙醇和异***等作为络合剂，以加快硅的腐蚀。制备绒面前，硅片须***行初步表面腐蚀，用碱性或酸性腐蚀液蚀去约20～25μm，在腐蚀绒面后，进行一般的化学清洗。经过表面准备的硅片都不宜在水中久存，以防沾污，应尽快扩散制结。隐裂、热斑、PID效应，是影响晶硅光伏组件性能的三个重要因素。1.什么是“隐裂”隐裂是晶体硅光伏组件的一种较为常见的缺陷，通俗的讲，就是一些肉眼不可见的细微（micro-crack）。晶硅组件由于其自身晶体结构的特性，十分容易发生。在晶体硅组件生产的工艺流程中，许多环节都有可能造成电池片隐裂。隐裂产生的根本原因，可归纳为硅片上产生了机械应力或热应力。现在为了降低成本，晶硅电池片向越来越薄的方向发展，降低了电池片防止机械***的能力，更容易产生隐裂。)