冷却结晶器根据其冷却形式又分为内循环冷却式和外内循环冷却式结晶器。冷却结晶过程所需冷量由夹套或外部换热器提供。1、内循环冷却式结晶器内循环式冷却结晶器其冷却剂与溶剂通过结晶器的夹套进行热交换。这种设备由于换热器的换热面积受结晶器的限制，其换热器量不大。2、外循环冷却式结晶器外循环式冷却结晶器，其冷却剂与溶液通过结晶器外部的冷却器进行热交换。这种设备的换热面积不受结晶器的限制，传热系数较大，易实现连续操作。3、导流筒结晶器导流筒结晶器是一种结晶设备，物料温度可控，其的结构和工作原理决定了它具有传热、配置简单、操作控制方便、操作环境好等特点。导流筒结晶器设备主体为根据流体计算后设计的外筒体和导流筒，配套螺旋桨实现了内循环，而几乎不出现二次晶核，根据冷却结晶体的生长速率和晶体大小，设计降温速度、搅拌桨转速等指标，各指标动态可调易实现系统自控制，以适应的结晶要求。4、OSLO冷却结晶器主要特点：是过饱和度产生的区域与晶体生长区分别结晶器的两处，晶体在循环母液中流化悬浮，为晶体生长提供了较好的条件，能够生产出粒度较大而均匀的晶体。工艺过程：它在循环管路上增设列管式冷却器，母液单程通过列管向上方循，浓的料液在循环泵前加入，与循环母液混合后一起经过冷却器冷却而产生过饱和度，之后进入结晶器中流化悬浮，生产出粒度较大而均匀的晶体。产品（晶体）悬浮液由结晶器锥底引出如果溶液中晶体表面不足，晶体的生长不足以消除由于蒸发所产生的过饱和度，使得溶液的过饱和度过高，而处于不稳定区域，溶液的过饱和度将以自发成核过程来消耗过饱和度，从而形成大量的细小晶体颗粒。此时需要对蒸发结晶过程中的蒸发强度进行控制，使结晶体系的过饱和度始终处于结晶介稳区之内，以保证所设计的蒸发结晶设备能生产出符合设计任务要求的产品。晶体在生长区的停留时间越长，晶体生长的时间越长，晶体粒度越大，晶体表面也越大。大粒度晶体的生成需要有足够的生长时间。在蒸发结晶过程中，过饱和度的产生速率取决于蒸发速率，即设备的蒸发强度。蒸发强度愈大，其产生过饱和度的速度愈快，越易形成过高的过饱和度。而过饱和度的消除主要依赖于晶体的自发成核和晶体的成长过程。如果在结晶器内，具有足够的晶体表面和较快的成长速率，由蒸发所产生的过饱和度，能全部成长在晶体表面上，溶液的过饱和度主要靠晶体成长及时消除，不会使溶质以成核过程来消除过饱和度，从而不会产生大量的晶核。)