清洗流程的操作规范：(1)用(ACE)、异bing醇(IPA)、去离子(DI)水依次进行超声清洗超声设备内槽、烧杯、花篮、卡塞及样品盒；(2)在二个超声设备的内槽分布倒入2000-4000ml的和异bing醇溶液，具体的溶液体积由内槽的容积来定，保证溶液水平面在花篮上平面以上；在一个烧杯中倒入2000ml溶液；记录溶液更换日期，按每2000ml溶液清洗250片晶片的要求规划溶液的清洗次数；(3)将晶片用花篮盛放并将其置于内槽中，设置超声的温度60°C，并计时超声清洗晶片10分钟，用盖将内槽封闭，腐蚀，并记录溶液累计使用片数；(4)将放有晶片的花篮取出冲水5分钟；(5)将花篮置于异bing醇中，设置溶液温度60°C，记时超声清洗晶片10分钟，用盖将内槽封闭，碱腐蚀设备，记录溶液累计使用片数；(5)将放有晶片的花篮取出冲水5分钟；(6)将放有晶片的花篮置于已配制好的***(共1200ml，H2SO4:H2O2=3:1)溶液中，湿法腐蚀设备，计时10分钟，并记录溶液使用累计片数；保持溶液的温度为90°C。如果溶液不是新配溶液，晶圆腐蚀设备，需向溶液中按溶液的1/3加入溶液；(7)将放有晶片的花篮取出冲水5分钟；(8)将晶片从花篮中取出，放置到te制的卡塞中，将放有晶片的卡塞置于兆声波设备内槽中，在60°C兆声清洗10分钟；(9)将放有晶片的卡塞取出冲水10分钟；(10)将放有晶片的卡塞放入甩干机中，烘干。清洗常用的化学***（ACE）：【用途】除去有机残余物，有机颗粒；除去光刻胶。异bing醇（IPA）：【用途】溶解，将有机残余物溶解。DI水：【用途】溶解异bing醇，带走残余物。?SPM:(H2SO4:H2O2:H2O）。苏州晶淼半导体设备有限公司致力于向客户提供湿法制程刻蚀设备、清洗设备、pp/pvc通风柜/厨、cds***集中供液系统解决方案。我们的产品广泛应用与微电子、半导体、光伏、光通信、led等行业及高等院校、研究所等等科技领域的生产和研faRCA清洗附加兆声能量后，可减少***及DI水的消耗量，缩短晶片在清洗液中的浸蚀时间，减轻湿法清洗的各向同性对积体电路特征的影响，增加清洗液使用寿命。苏州晶淼半导体设备有限公司可根据客户的工艺需求和工作环境的具体要求，对设备进行人性化、个性化设计，极大限度的将客户的想法转化为实际应用。能完全满足规模化生产和研发需求。天道酬勤，商道酬信！精良的产品质量是我们的根本，超客户预期是我们的自我需求，真诚守信是我们的原则，我们的目标是提升中国湿制程设备制造水平和服务！)