脑皮质神经元刺激记录系统用于比较急性和慢性记录的脑皮质神经元刺激记录系统脑皮质神经元刺激记录系统的微电极阵列的几种变化被用来记录和刺激皮层内的神经元活动。但绕过免疫反应以保持稳定的记录界面仍然是一个挑战。我们的研究人员正在不断改变阵列的材料组成和几何形状，以便发现一种组合，使电极-组织界面长期稳定。从这个界面，他们希望获得质量稳定的记录和稳定的、低阻抗的通路，以便在长时间内进行电荷注入。尽管做出了许多努力，细胞牵张拉伸损伤仪，但没有任何一种微电极阵列设计能够避开宿主的免疫反应并保持完全的功能。这项研究是一项初步的努力，它比较了几种配置完全不同的微电极阵列，以用于植入式癫1痫假体。具体来说，NeuroNexus（Michigan）探头、Cyberkinetics（Utah）硅和氧化铱阵列、陶瓷基薄膜微电极阵列（Drexel）和Tucker-DavisTechnologies（TDT）微线阵列在一个动物模型中进行了31天的评估。通过阻抗、电荷量、信噪比、记录稳定性和激发的免疫反应，对植入大鼠的微电极进行了比较。结果表明，微电极类型内部和之间的差异很大，没有明显的优势阵列。根据在整个纵向研究中收集的数据，提出了微电极阵列的一些应用。此外，还讨论了在一个高度可变的系统中检测生物现象和比较基本不同的微电极阵列的具体限制，并建议如何提高观察结果的可靠性，以及开发更标准化的微电极设计所需的步骤。创伤性脑损伤体外模型创伤性脑损伤（TBI）是由大脑的快速变形引起的，导致一连串的病理事件，蕞终导致神经变性。了解大脑变形的生物力学如何导致组织损伤仍然是一个相当大的挑战。我们开发了一个TBI创伤性脑损伤体外模型，利用可拉伸微电极阵列SMEA膜上的海马切片培养物，以及创伤性脑损伤体外模拟系统装置，通过拉伸硅基质产生组织变形。我们的损伤装置通过反馈控制拉伸的生物力学参数，从而产生可重复的、等轴的变形刺激。1器1官型培养物在变形过程中仍然很好地粘附在膜上，细胞牵张，因此在X轴和Y轴上，组织应变分别为膜应变的93%和86%。损伤后的细胞损伤与应变呈正相关。总之，我们开发了一个独1特的创伤性脑损伤体外模型来研究复杂的细胞环境中机械刺激的影响，模仿体内环境。我们相信这个模型可以成为研究TBI急性期的有力工具，诱导的细胞变性可以为开发潜在的治1疗方法提供一个良好的平台，并可能成为TBI动物模型的一个有用的体外替代品。细胞损伤模型体外培养装置体内细胞暴露于两种类型的生物力学环境，病理拉伸是其中之一病理性拉伸，细胞拉伸超出其健康极限，造成创伤：MEASSURE细胞损伤模型体外培养装置在体外受控环境中再现了神经外伤性损伤（外伤性脑损伤，TBI；脊髓损伤，SCI）或肌肉损伤的生物力学。可拉伸MEA中的电极与细胞/组织一起拉伸，即它们在拉伸之前、期间和之后保持与组织上的相同位置接触。这种能力允许通过比较损伤后细胞与损伤前水平的电生理学（例如，信号幅度和频率）来直接、直接地评估损伤细胞的损伤，即MEASSURE细胞损伤模型体外培养装置是一个筛选平台，用于评估药1物和其他治1疗策略对神经外伤的疗1效。筛查基于受损细胞和组织切片的电生理学。sMEA中的电极是可弹性拉伸的，也就是说，它们还允许研究同一细胞/组织的重复损伤，例如研究反复脑1震荡（轻度TBI）的细胞和分子机制，但人们对此知之甚少。MEASSURE将作为一个平台，从根本上改进方法来研究受控体外环境中细胞的生理拉伸和病理拉伸。此外，MEASSURE细胞损伤模型体外培养装置允许在整个拉伸过程中对细胞进行光学成像，以验证组织应变并检测组织的形态变化。力、电耦合刺激-细胞牵张拉伸损伤仪-细胞牵张由世联博研（北京）科技有限公司提供。世联博研（北京）科技有限公司位于北京市昌平区回龙观镇上奥世纪中心2B座6层603。在市场经济的浪潮中拼博和发展，目前世联博研在科研仪器仪表中享有良好的声誉。世联博研取得全网商盟认证，标志着我们的服务和管理水平达到了一个新的高度。世联博研全体员工愿与各界有识之士共同发展，共创美好未来。)