?抗干扰电容器分析。抗干扰电容器分析。X2-MKP/MKT跳线***射频浪涌电容器。当我们听到这个名字时，我们可能会感到奇怪，但它有另一个你必须知道的名字。用于***射频浪涌的X2-MKP/MKT电容器通常被称为抗干扰电容器和安全电容器。那么我们对抗干扰电容了解多少呢？让我们来看看他们。首先，抗干扰电容采用进口金属化聚薄膜和聚酯薄膜为介质，电极采用无感绕制，CP线(或软UL线)焊接引出，用环氧树脂密封在符合UL94V-0等级的塑料外壳内。它具有绝缘电阻高、自愈性好、使用寿命长、高产品损耗低、大电流承载、抗电磁干扰(EMC)明显等特点。这种电容器主要用于电视机、电脑显示器、节能灯、镇流器、通讯设备、开关电源、小家电等。它在主电路、旁路电路、耦合电路、***电路和脉冲电路中具有滤波、DC隔离、启动、调频、灭弧等功能。产品规格为275伏交流电系列，容量为103-475，简要介绍了技术参数，参考标准为GB/T14472-1998IEC60384-14。材料:采用金属化聚薄膜作为介质电极，无感应缠绕，用环氧树脂密封在矩形阻燃塑料外壳内，径向引出镀锡铜包钢线(CP线)或UL软线。X2-MKP/MKT跳线电容产品介绍?X2-MKP/MKT跳线电容产品介绍X2-MKP/MKT跳线电容，用于***射频浪涌。现在知道是抗干扰电容，其实也叫安全电容，交流电容。它的系统是VDEULCSAFICQC。电气性能参数如下:1.气候类:40/100/21。2.额定电压:120VAC275VAC。3.容量范围:0.0022-4.7μF4.容量偏差:10%(k)20%(m)5.耐压:4.3URDC(5S)损耗角正切:≤0.15%(铬≤1.0μf)≤0.3%(铬>1.0μf)(20℃，10KHZ)7.绝缘电阻:≥15000mωCr≤0.33μf≥5000SCR>0.33f(20℃，1分钟。电容器去耦：运用电容器去耦来减少干扰信号，电容器去耦能够分成三种：总体的、部分的和板间的。总体去耦电容工作中在低頻情况，为全部线路板出示一个平稳的工作电压和电流量。它应置放在紧贴pcb电路板电源插头和接地线的地区。典型性的去耦电容值是0.1μF。这一电容器的遍布电感器的典型值是5μH。0.1μF的去耦电容有5μH的遍布电感器，它的并行处理固有频率大概在7MHz上下，换句话说，针对10MHz下列的噪音有不错的去耦实际效果，对几十MHz之上的噪音基本上失灵。因此针对20MHz之上的噪音，选用0.01μF的电容器去耦。部分去耦电容使集成电路芯片获得的供电系统工作电压较为稳定；此外还旁通掉该元器件的高频率噪音。海南陶瓷电容-纬迪电容器快速交货-陶瓷电容定做厂家由深圳市纬迪实业发展有限公司提供。深圳市纬迪实业发展有限公司是一家从事“薄膜电容器,电子元器件的购销,国内贸易,货物进出口。”的公司。自成立以来，我们坚持以“诚信为本，稳健经营”的方针，勇于参与市场的良性竞争，使“薄膜电容器,抗干扰电容器,聚酯薄膜电容器”品牌拥有良好口碑。我们坚持“服务至上，用户至上”的原则，使纬迪实业在电子、电工产品加工中赢得了客户的信任，树立了良好的企业形象。特别说明：本信息的图片和资料仅供参考，欢迎联系我们索取准确的资料，谢谢！同时本公司还是从事陶瓷电容定制，广东陶瓷电容公司，陶瓷电容生产的厂家，欢迎来电咨询。)