半导体元件除了本身功能要良好之外，其各项参数能否达到电路上的要求，必须定期测量，变频器用IGBT测试仪，否则产品的质量特性很难保证，尤其是较大的功率元件，因具有耗损性，变频器用IGBT测试仪价格，易老化及效率降低，因不平衡导致烧毁，变频器用IGBT测试仪现货供应，甚至在使用中会发生。（2）主要技术参数1）基本参数功率源：5000V1200A2）栅极-发射极漏电流IGESIGES：0。所以对新产品及使用中的元件参数的筛选及检查更为重要。半导体元件的每一个参数，依其极性的不同，都须要一个的测量电路，我公司所设计生产的半导体元件自动测试系统，具有一组继电器形成的矩阵电路，依每个参数的定义，形成千变万化的电路，变频器用IGBT测试仪厂家，再依元件的出厂规格加上额定的电流或电压后，在极短的时间内将所须要的数据量测出来，且有些参数从量测的数据经快速运算即可得知其特性是否在规定范围内。3.6VCES集射极截止电压0~5000V集电极电流ICES：0.01～1mA±3%±0.001mA；1～10mA±2%±0.01mA；10～50mA±1%±0.1mA；集电极电压VCES：0-5000V±1.5%±2V；*3.7ICES集射极截止电流0.01～50mA集电极电压VCES：50～500V±2%±1V；半导体元器件生产厂——应用本公司测试系统可对半导体元器件生产线的成品进行全参数的测试、筛选、分析，以确保出厂产品的合格率。500～5000V±1.5%±2V；集电极电流ICES：0.001～1mA±3%±0.001mA；1～10mA±2%±0.01mA；10～150mA±1%±0.1mA；*3.8VCE(sat)饱和导通压降0.001～10V集电极电流ICE：0-1600A集电极电压VCEs：0.001～10V±0.5%±0.001V栅极电压Vge：5～40V±1%±0.01V集电极电流ICE：0～100A±1%±1A；100～1600A±2%±2A；*3.9Iges栅极漏电流0.01～10μA栅极漏电流IGEs：0.01～10μA±2%±0.005μA栅极电压Vge：±1Ｖ～40V±1%±0.1V；Vce=0V；*3.10VF正向特性测试0.1～5V二极管导通电压Vf：0.1～5V±1%±0.01V电流IF：0～100A±2%±1A；100～1600A±1.5%±2A；如何执行导通参数与漏电流的量测？?测试条件中待输入的数字，必须依照元件生产厂所提供的规格来输入，而测量结果，亦必须在其所规定的限额内，否则，便为不良品。大功率Igbt模块测试系统简介我公司所设计生产的半导体元件自动测试系统具备下列测试能力：☆可单机***操作，测试范围达2000V及50A。☆外接大电流扩展装置，检测范围可扩展1600A。变频器用IGBT测试仪-华科轨道交通IGBT由深圳市华科智源科技有限公司提供。深圳市华科智源科技有限公司为客户提供“IGBT测试仪,功率器件测试仪,首件检测仪”等业务，公司拥有“华科智源,HUSTEC,”等品牌，专注于电子测量仪器等行业。IGBT测试装置技术要求（1）设备功能IGBT模块检测装置是用于IGBT的静态参数测试。，在深圳市宝安区西乡街道智汇创新中心B座606的名声不错。欢迎来电垂询，联系人：陈少龙。)