半导体元件除了本身功能要良好之外，其各项参数能否达到电路上的要求，必须定期测量，否则产品的质量特性很难保证，尤其是较大的功率元件，便携式IGBT测试仪价格，因具有耗损性，便携式IGBT测试仪厂家，易老化及效率降低，因不平衡导致烧毁，甚至在使用中会发生。培训后，应能达到用户能基本完全***熟练操作单元进行功率半导体性能测试，并能解决实际工程问题。所以对新产品及使用中的元件参数的筛选及检查更为重要。半导体元件的每一个参数，依其极性的不同，都须要一个的测量电路，我公司所设计生产的半导体元件自动测试系统，具有一组继电器形成的矩阵电路，依每个参数的定义，形成千变万化的电路，便携式IGBT测试仪现货供应，再依元件的出厂规格加上额定的电流或电压后，在极短的时间内将所须要的数据量测出来，且有些参数从量测的数据经快速运算即可得知其特性是否在规定范围内。测量目的：对模块的电压降参数进行检测，可判断模块是否处于正常状态。功率模块的VCE-IC特性曲线会随着器件使用年限的增加而变化，饱和压降Vcesat会逐渐劣化。2）集射极截止电压/集射极截止电流测试电路集射极截止电压/发射极截止电流测试电路。因此，便携式IGBT测试仪，定期检测可预防发现功率模块故障。且变流器由多个模块组成，由于个体差异，大电流情况下的参数也会存在个体差异。因此，测量大电流情况下的各个模块实际技术参数，进行跟踪管理，可有效保障机车中间直流环节可靠运行。IGBT模块VCE-IC特线（单管），Vcesat随电流变大而增大。3、技术指标*3.1机台可测试器件类型二极管、MOSFET、IGBT单管及模组*3.2机台可测IGBT项目及测试范围VGE(th)栅极阈值电压VCES集射极截止电压ICES集射极截止电流VCE(sat)饱和导通压降Iges栅极漏电流VF二极管导通电压可以测5000V，1600A以下的IGBT模块*3.3机台可测MOS项目Vf、Vdsat、IGSS、Vgth、BVdss、***(on)、Gfs3.4测试项目测量范围测试条件与精度*3.5VGE(th)栅极阈值电压0.1～10VVGE：0.1～10V±1%±0.01V；1V3）集电极-发射极电压集电极电压VCES：100-5000V±2%±10V集电极电流ICES：0。解析度：0.01V集电极电流Ic：10～50mA±1%±0.5mA；50～200mA±1%±1mA；200～1000mA±1%±2mA；华科分立器件测试仪-便携式IGBT测试仪由深圳市华科智源科技有限公司提供。半导体元器件检测中心——应用本公司测试系统可扩大检测中心的检测范围、提高检测效率，提升检测水平，增加经济效益。深圳市华科智源科技有限公司是广东深圳,电子测量仪器的见证者，多年来，公司贯彻执行科学管理、创新发展、诚实守信的方针，满足客户需求。在华科智源***携全体员工热情欢迎各界人士垂询洽谈，共创华科智源更加美好的未来。)