目的和用途该设备用于功率半导体模块（IGBT、FRD、肖特基二极管等）的动态参数测试，以表征器件的动态特性，通过测试夹具的连接，实现模块的动态参数测试。卖方出厂试验详细方案应提前提交买方评估，通过买方评估合格后实施方可视为有效试验。1.2测试对象IGBT、FRD、肖特基二极管等功率半导体模块2.测试参数及指标2.1开关时间测试单元技术条件开通时间测试参数：1、开通时间ton：5～2000ns±3%±3ns2、开通延迟时间td(on)：5～2000ns±3%±3ns3、上升时间tr：5～2000ns±3%±3ns4、开通能量：0.2～1mJ±5%±0.01mJ1～50mJ±5%±0.1mJ50～100mJ±5%±1mJ100～500mJ±5%±2mJ5、开通电流上升率di/dt测量范围：200-10000A/uS6、开通峰值功率Pon：10W～250kW什么是大功率半导体元件？其用途为何？凡是半导体元件如金属氧化场效晶体管(MOSFET)、IGBT(INSULATEDGATEB.TRANSISTOR)及TRIAC（可控硅）、SCR（晶闸管）、GTO等各型闸流体与二极管(DIODE)等，其工作电流与电压乘积若大于1KW以上，便携式IGBT测试仪价格，均可属于大功率的范围。如下图片所示。此类元件多用于车船，工厂的动力，光电及其他能源的转换上。测量目的：对模块的电压降参数进行检测,可判断模块是否处于正常状态。其中：Vcc试验电压源±VGG栅极电压C1箝位电容Q1陪测器件（实际起作用的是器件中的续流二极管）L负载电感：100uH、200uH、500uH、1000uH自动切换IC集电极电流取样电流传感器DUT被测器件关断时间采用单脉冲测试，由计算机设定并控制输出集电极电压VCC值到被测器件的测试要求值（一般为被测器件额定电压的1/2），设定±VGG到测试要求值，便携式IGBT测试仪，开关被测器件DUT一次，被测器件的开冲持续时间必须保证DUT完全饱和，同时监测集电极电流IC、栅极-发射极电压VGE和集电极-发射极电压VCE，便携式IGBT测试仪厂家，记录下被测器件IC、VCE以及VGE的波形，其中，VCE采样到示波器的CH1通道，便携式IGBT测试仪批发，IC取样到示波器的CH2通道，VGE采样到示波器的CH3通道，示波器通过光通讯方式将测试波形传输给计算机，由计算机对测试波形进行分析与计算，后显示测试结果。2IGBT模块动态测试参数及指标测试单元对IGBT模块和FRD的动态参数及其他参数的定义满足IEC60747-9以及IEC60747-2。便携式IGBT测试仪-华科IGBT测试设备由深圳市华科智源科技有限公司提供。行路致远，砥砺前行。深圳市华科智源科技有限公司致力成为与您共赢、共生、共同前行的战略伙伴，更矢志成为电子测量仪器具有竞争力的企业，与您一起飞跃，共同成功!)