大功率IGBT测试仪现货供应-华科动态参数IGBT
开通特性测试采用双脉冲测试法。由计算机设定并控制输出集电极电压VCC值到被测器件的测试要求值(一般为被测器件额定电压的1/2),设定±VGG到测试要求值,计算机控制接通开关S1,并控制输出被测双脉冲触发信号,大功率IGBT测试仪厂家,开通和关断被测器件两次,被测器件次开通后,集电极电流IC上升,直至被测器件饱和导通且IC达到测试规定值时,关断被测器件(设为t1时刻),之后电感L经二极管(Q1内部二极管)续流,IC迅速减小,直至IC降为零时,第二次开通被测器件(设为t2时刻),此后电感L中的电流向IC转移,IC迅速上升(若L足够大,t1~t2间隔足够短,L中的电流可视为恒流),大功率IGBT测试仪现货供应,直至被测器件再次达到饱和导通时(设为t3时刻),关断被测器件。C:脉冲宽度50uS~300uSD:Vce测量精度2mVE:Vce测量范围>。记录下被测器件IC、VCE以及VGE在t2~t3之间的导通波形,其中,VCE采样到示波器的CH1通道,IC取样到示波器的CH2通道,大功率IGBT测试仪,VGE采样到示波器的CH3通道,示波器通过光通讯方式将测试波形传输给计算机,由计算机对测试波形进行分析与计算,后显示测试结果。3、技术指标*3.1机台可测试器件类型二极管、MOSFET、IGBT单管及模组*3.2机台可测IGBT项目及测试范围VGE(th)栅极阈值电压VCES集射极截止电压ICES集射极截止电流VCE(sat)饱和导通压降Iges栅极漏电流VF二极管导通电压可以测5000V,1600A以下的IGBT模块*3.3机台可测MOS项目Vf、Vdsat、IGSS、Vgth、BVdss、***(on)、Gfs3.4测试项目测量范围测试条件与精度*3.5VGE(th)栅极阈值电压0.1~10VVGE:0.1~10V±1%±0.01V;解析度:0.01V集电极电流Ic:10~50mA±1%±0.5mA;1VVce:12V集电极电流ICE:30mA±3%7)二极管压降测试VF:0-5V±2%±0。50~200mA±1%±1mA;200~1000mA±1%±2mA;测量目的:对模块的电压降参数进行检测,可判断模块是否处于正常状态。功率模块的VCE-IC特性曲线会随着器件使用年限的增加而变化,饱和压降Vcesat会逐渐劣化。因此,定期检测可预防发现功率模块故障。当这两个参数通过后,便表示元件基本上良好,再进一步作其他参数的测量,以分辨其中的优劣。且变流器由多个模块组成,由于个体差异,大电流情况下的参数也会存在个体差异。因此,测量大电流情况下的各个模块实际技术参数,进行跟踪管理,可有效保障机车中间直流环节可靠运行。IGBT模块VCE-IC特线(单管),Vcesat随电流变大而增大。大功率IGBT测试仪现货供应-华科动态参数IGBT由深圳市华科智源科技有限公司提供。深圳市华科智源科技有限公司实力不俗,信誉可靠,在广东深圳的电子测量仪器等行业积累了大批忠诚的客户。机车、汽车、船舶控制系统生产厂——应用本公司测试系统可对所应用到的元器件,尤其对。华科智源带着精益求精的工作态度和不断的完善创新理念和您携手步入辉煌,共创美好未来!)
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