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封装用IGBT测试仪加工-华科IGBT测试设备
开通特性测试采用双脉冲测试法。由计算机设定并控制输出集电极电压VCC值到被测器件的测试要求值(一般为被测器件额定电压的1/2),设定±VGG到测试要求值,计算机控制接通开关S1,并控制输出被测双脉冲触发信号,开通和关断被测器件两次,封装用IGBT测试仪加工,被测器件次开通后,封装用IGBT测试仪,集电极电流IC上升,直至被测器件饱和导通且IC达到测试规定值时,关断被测器件(设为t1时刻),之后电感L经二极管(Q1内部二极管)续流,IC迅速减小,直至IC降为零时,第二次开通被测器件(设为t2时刻),此后电感L中的电流向IC转移,IC迅速上升(若L足够大,t1~t2间隔足够短,L中的电流可视为恒流),直至被测器件再次达到饱和导通时(设为t3时刻),关断被测器件。为提供稳定的大电流脉冲,采用了支撑电容补偿及步进充电的方法,解决IGBT进行VCE饱和压降及续流二极管压降的检测问题。记录下被测器件IC、VCE以及VGE在t2~t3之间的导通波形,其中,VCE采样到示波器的CH1通道,封装用IGBT测试仪现货供应,IC取样到示波器的CH2通道,VGE采样到示波器的CH3通道,示波器通过光通讯方式将测试波形传输给计算机,由计算机对测试波形进行分析与计算,后显示测试结果。8)高压大功率开关?电流能力200A?隔离耐压10kV?响应时间150ms?脉冲电流20kA(不小于10ms)?工作方式气动控制?工作气压0.4MPa?工作温度室温~40℃?工作湿度9)尖峰***电容用于防止关断瞬态过程中的IGBT器件电压过冲。?电容容量200μF?分布电感小于10nH?脉冲电流200A?工作温度室温~40℃?工作湿度华科智源IGBT测试仪制造标准华科智源IGBT测试仪HUSTEC-1200A-MT除满足本技术规格书的要求外,在其设计、制造、试验、检定等制程中还应满足以下标准的版本。操作系统、备份、保存、远程控制编辑、上传、故障自检报警等基本功能。GB/T29332-2012半导体器件分立器件第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT)GB13869-2008用电安全导则GB19517-2004***电器设备安全技术规范GB4208-2008外壳防护等级(IP代码)(IEC60529:2001,IDT)GB/T191-2008包装储运图示标志GB/T15139-1994电工设备结构总技术条件GB/T2423电工电子产品环境试验GB/T3797-2005电气控制设备GB/T4588.3-2002印制板的设计和使用GB/T9969-2008工业产品使用说明书总则GB/T6988-2008电气技术用文件的编制GB/T3859.3半导体变流器变压器和电抗器GB/T4023-1997半导体器件分立器件和集成电路第2部分:整流二极管封装用IGBT测试仪加工-华科IGBT测试设备由深圳市华科智源科技有限公司提供。深圳市华科智源科技有限公司是广东深圳,电子测量仪器的见证者,多年来,公司贯彻执行科学管理、创新发展、诚实守信的方针,满足客户需求。1)可调充电电压源用来给电容器充电,实现连续可调的直流母线电压,满足动态测试、短路电流的测试需求。在华科智源***携全体员工热情欢迎各界人士垂询洽谈,共创华科智源更加美好的未来。)