开通特性测试采用双脉冲测试法。IGBT模块检测装置是用于IGBT的静态参数测试，在IGBT的检测中，采用大电流脉冲对IGBT进行VCE饱和压降及续流二极管压降的检测。由计算机设定并控制输出集电极电压VCC值到被测器件的测试要求值（一般为被测器件额定电压的1/2），设定±VGG到测试要求值，计算机控制接通开关S1，大功率IGBT测试仪，并控制输出被测双脉冲触发信号，开通和关断被测器件两次，被测器件次开通后，集电极电流IC上升，直至被测器件饱和导通且IC达到测试规定值时，大功率IGBT测试仪加工，关断被测器件(设为t1时刻)，之后电感L经二极管（Q1内部二极管）续流，IC迅速减小，直至IC降为零时，第二次开通被测器件(设为t2时刻)，此后电感L中的电流向IC转移，IC迅速上升(若L足够大，t1～t2间隔足够短，L中的电流可视为恒流），直至被测器件再次达到饱和导通时(设为t3时刻)，关断被测器件。记录下被测器件IC、VCE以及VGE在t2～t3之间的导通波形，其中，VCE采样到示波器的CH1通道，IC取样到示波器的CH2通道，VGE采样到示波器的CH3通道，示波器通过光通讯方式将测试波形传输给计算机，由计算机对测试波形进行分析与计算，后显示测试结果。欲测知元件老化，所须提供的测量范围为何？当大功率元件在作导通参数的测试时，大功率IGBT测试仪批发，电流必须大到其所能承受的正常工作值，同时，在作关闭参数的漏电流测试时，电压也必须够高，以元件在真正工作状态下的电流与电压，如此其老化的程度才可显现。1VVce：12V集电极电流ICE：30mA±3%7）二极管压降测试VF：0-5V±2%±0。当这两个参数通过后，便表示元件基本上良好，再进一步作其他参数的测量，以分辨其中的优劣。建议进行高温测试，模拟器件使用工况，更为准确的判断器件老化程度。华科智源IGBT测试仪制造标准华科智源IGBT测试仪HUSTEC-1200A-MT除满足本技术规格书的要求外，在其设计、制造、试验、检定等制程中还应满足以下标准的版本。半导体元器件检测中心——应用本公司测试系统可扩大检测中心的检测范围、提高检测效率，提升检测水平，增加经济效益。GB/T29332-2012半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）GB13869-2008用电安全导则GB19517-2004***电器设备安全技术规范GB4208-2008外壳防护等级（IP代码）（IEC60529：2001，IDT）GB/T191-2008包装储运图示标志GB/T15139-1994电工设备结构总技术条件GB/T2423电工电子产品环境试验GB/T3797-2005电气控制设备GB/T4588.3-2002印制板的设计和使用GB/T9969-2008工业产品使用说明书总则GB/T6988-2008电气技术用文件的编制GB/T3859.3半导体变流器变压器和电抗器GB/T4023-1997半导体器件分立器件和集成电路第2部分:整流二极管大功率IGBT测试仪批发-华科便携式测试仪由深圳市华科智源科技有限公司提供。主要参数测试范围精度要求测试条件Vce集射极电压150～3300V150～500V±3%±1V。深圳市华科智源科技有限公司是广东深圳,电子测量仪器的见证者，多年来，公司贯彻执行科学管理、创新发展、诚实守信的方针，满足客户需求。在华科智源***携全体员工热情欢迎各界人士垂询洽谈，共创华科智源更加美好的未来。)