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华科IGBT测试仪-检修用IGBT测试仪现货供应
3.6VCES集射极截止电压0~5000V集电极电流ICES:0.01~1mA±3%±0.001mA;1~10mA±2%±0.01mA;10~50mA±1%±0.1mA;集电极电压VCES:0-5000V±1.5%±2V;6双电流脉冲的设置:Vcc,Ic,电感值,间隙时间(10到50us)(脉宽自动计算)。*3.7ICES集射极截止电流0.01~50mA集电极电压VCES:50~500V±2%±1V;500~5000V±1.5%±2V;集电极电流ICES:0.001~1mA±3%±0.001mA;1~10mA±2%±0.01mA;10~150mA±1%±0.1mA;*3.8VCE(sat)饱和导通压降0.001~10V集电极电流ICE:0-1600A集电极电压VCEs:0.001~10V±0.5%±0.001V栅极电压Vge:5~40V±1%±0.01V集电极电流ICE:0~100A±1%±1A;100~1600A±2%±2A;*3.9Iges栅极漏电流0.01~10μA栅极漏电流IGEs:0.01~10μA±2%±0.005μA栅极电压Vge:±1V~40V±1%±0.1V;Vce=0V;*3.10VF正向特性测试0.1~5V二极管导通电压Vf:0.1~5V±1%±0.01V电流IF:0~100A±2%±1A;100~1600A±1.5%±2A;目的和用途该设备用于功率半导体模块(IGBT、FRD、肖特基二极管等)的动态参数测试,以表征器件的动态特性,检修用IGBT测试仪现货供应,通过测试夹具的连接,检修用IGBT测试仪,实现模块的动态参数测试。数据采集后,后台软件自动及时绘出相应图表,以方便现场判断使用。1.2测试对象IGBT、FRD、肖特基二极管等功率半导体模块2.测试参数及指标2.1开关时间测试单元技术条件开通时间测试参数:1、开通时间ton:5~2000ns±3%±3ns2、开通延迟时间td(on):5~2000ns±3%±3ns3、上升时间tr:5~2000ns±3%±3ns4、开通能量:0.2~1mJ±5%±0.01mJ1~50mJ±5%±0.1mJ50~100mJ±5%±1mJ100~500mJ±5%±2mJ5、开通电流上升率di/dt测量范围:200-10000A/uS6、开通峰值功率Pon:10W~250kW1)可调充电电压源用来给电容器充电,实现连续可调的直流母线电压,满足动态测试、短路电流的测试需求。?输入电压380V±10%?频率50HZ;?输出电压500~1500V可调(可多个电源组成)?输出电流10A;?电压控制精度1%?电压调整率?纹波电压?工作温度室温~40℃;?保护有过压、过流、短路保护功能。华科IGBT测试仪-检修用IGBT测试仪现货供应由深圳市华科智源科技有限公司提供。5包装、标志和运输卖方负责整套设备的包装和运输,并负担由此产生的费用。深圳市华科智源科技有限公司是广东深圳,电子测量仪器的见证者,多年来,公司贯彻执行科学管理、创新发展、诚实守信的方针,满足客户需求。在华科智源***携全体员工热情欢迎各界人士垂询洽谈,共创华科智源更加美好的未来。)