3）IGBT饱和压降/FRD正向导通压降测试电路通态压降测试电路?高压充电电源：10~1500V连续可调?支撑电容：额定电压2kV?饱和通态压降电压探头精度要求：0.1～10V±3%±0.01V?栅极电压输出要求：5～25V±1%±0.01V?集电极电流测试设备精度：200～500A±3%±1A；500～1000A±2%±2A?测试脉冲宽度：0.1~1ms可设定4）栅极漏电流测试电路栅极漏电流测试电路?可调电源：±1Ｖ～±40V±2%±0.1V；?小电流测量设备精度：0.01～10μA±2%±0.005μA?栅极电压Vge：±1Ｖ～40V±1%±0.1V；?培训后，应能达到用户能基本完全***熟练操作单元进行功率半导体性能测试，并能解决实际工程问题。脉冲时间：40~100ms可设定参数名称符号参数名称符号开通延迟时间td(on)关断延迟时间td(off)上升时间tr下降时间tf开通时间ton关断时间toff开通损耗Eon关断损耗Eoff栅极电荷Qg短路电流ISC//可测量的FRD动态参数参数名称符号参数名称符号反向***电流IRM反向***电荷Qrr反向***时间trr反向***损耗Erec变频器用IGBT测试仪批发-华科智源-变频器用IGBT测试仪由深圳市华科智源科技有限公司提供。为提供稳定的大电流脉冲，采用了支撑电容补偿及步进充电的方法，解决IGBT进行VCE饱和压降及续流二极管压降的检测问题。深圳市华科智源科技有限公司坚持“以人为本”的企业理念，拥有一支高素质的员工***，力求提供更好的产品和服务回馈社会，并欢迎广大新老客户光临惠顾，真诚合作、共创美好未来。华科智源——您可信赖的朋友，公司地址：深圳市宝安区西乡街道智汇创新中心B座606，联系人：陈少龙。)