光刻胶：半导体技术壁垒较高的材料之一光刻是整个集成电路制造过程中耗时长、难度大的工艺，耗时占IC制造50%左右，成本约占IC生产成本的1/3。光刻胶是光刻过程重要的耗材，光刻胶的质量对光刻工艺有着重要影响。光刻是将图形由掩膜版上转移到硅片上，电子光刻胶生产厂家，为后续的刻蚀步骤作准备。在光刻过程中，需在硅片上涂一层光刻胶，经紫外线***后，光刻胶的化学性质发生变化，在通过显影后，被***的光刻胶将被去除，从而实现将电路图形由掩膜版转移到光刻胶上。再经过刻蚀过程，光刻胶生产厂家，实现电路图形由光刻胶转移到硅片上。在刻蚀过程中，光刻胶起防腐蚀的保护作用。以上就是为大家介绍的全部内容，希望对大家有所帮助。如果您想要了解更多光刻胶的知识，欢迎拨打图片上的***联系我们。光刻胶的主要技术参数1、分辨率:区别硅片表面相邻图形特性的能力，一般用关键尺寸来衡量分辨率。形成的关键尺寸越小，光刻胶的分辨率越好。2、对比度:指光刻胶从***区到非***区过渡的陡度。对比度越好，形成图形的侧壁越陡峭，光阻剂光刻胶生产厂家，分辨率越好。3、敏感度:光刻胶上产生一个良好的图形所需一定波长的小能量值(或小***量)。单位:焦/平方厘米或mJ/cm2.光刻胶的敏感性对于波长更短的深紫外光(DUV)、极深紫外光(EUV)等尤为重要。4、粘滞性/黏度:衡量光刻胶流动特性的参数。粘滞性随着光刻胶中的溶剂的减少而增加;高的粘滞性会产生厚的光刻胶;越小的粘滞性，就有越均匀的光刻胶厚度。5、粘附性:表征光刻胶粘着于衬底的强度。光刻胶的粘附性不足会导致硅片表面的图形变形。6、抗蚀性:光刻胶必须保持它的粘附性，在后续的刻蚀I序中保护衬底表面。7、表面张力:液体中将表面分子拉向液体主体内的分子间吸引力。光刻胶应该具有比较小的表面张力，使光刻胶具有良好的流动性和覆盖。8、存储和传送:能量可以启动光刻胶。应该存储在密闭、低温、不透光的盒中。同时必须规定光刻胶的闲置期限和存贮温度环境。以上内容由赛米莱德为您提供，希望对同行业的朋友有所帮助！何为光刻胶光刻胶又称光致抗蚀剂，是一种具有光化学敏感性的功能性化学材料，由光引发剂、光刻胶树脂、单体（活性稀释剂）、溶剂和其他助剂组成的对光敏感的混合液体，其中，树脂约占50%，单体约占35%。它被称为是电子化工材料中技术壁垒较高的材料之一，主要利用光化学反应将所需要的微细图形从掩模版转移到待加工基片上，被广泛应用于光电信息产业的微细图形线路的加工制作，下游主要用于集成电路、面板和分立器件的微细加工，同时在LED、光伏、磁头及精密传感器等制作过程中也有广泛应用。按照下游应用，光刻胶可分为半导体用光刻胶、LCD用光刻胶、PCB（印刷线路板）用光刻胶等，其技术壁垒依次降低。期望大家在选购光刻胶时多一份细心，少一份浮躁，不要错过细节疑问。想要了解更多光刻胶的相关资讯，欢迎拨打图片上的***电话！！电子光刻胶生产厂家-北京赛米莱德有限公司-光刻胶生产厂家由北京赛米莱德贸易有限公司提供。北京赛米莱德贸易有限公司位于北京市北京经济技术开发区博兴九路2号院5号楼2层208。在市场经济的浪潮中拼博和发展，目前赛米莱德在半导体材料中享有良好的声誉。赛米莱德取得全网商盟认证，标志着我们的服务和管理水平达到了一个新的高度。赛米莱德全体员工愿与各界有识之士共同发展，共创美好未来。)