华科智源IGBT测试仪制造标准华科智源IGBT测试仪HUSTEC-1200A-MT除满足本技术规格书的要求外，在其设计、制造、试验、检定等制程中还应满足以下标准的版本。1VVce：12V集电极电流ICE：30mA±3%7）二极管压降测试VF：0-5V±2%±0。GB/T29332-2012半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）GB13869-2008用电安全导则GB19517-2004***电器设备安全技术规范GB4208-2008外壳防护等级（IP代码）（IEC60529：2001，检修用IGBT测试仪批发，IDT）GB/T191-2008包装储运图示标志GB/T15139-1994电工设备结构总技术条件GB/T2423电工电子产品环境试验GB/T3797-2005电气控制设备GB/T4588.3-2002印制板的设计和使用GB/T9969-2008工业产品使用说明书总则GB/T6988-2008电气技术用文件的编制GB/T3859.3半导体变流器变压器和电抗器GB/T4023-1997半导体器件分立器件和集成电路第2部分:整流二极管IGBT动态参数测试系统技术要求1、设备概述该设备用于功率半导体模块（IGBT、FRD、肖特基二极管等）的动态参数测试，检修用IGBT测试仪，以表征器件的动态特性，通过测试夹具的连接，实现模块的动态参数测试。2、需提供设备操作手册、维修手册、零部件清单、基础图、设备总图、部件装配图、电气原理图、全机润滑系统图、电气接线用、计算机控制程序软件及其他必要的技术文件，设备有通讯模块必须提供通讯协议及其他必要的技术文件，检修用IGBT测试仪现货供应，所有资料必须准备（正本、副本）各一份，电子版一份；（正本、副本）技术资料，应至少有一份采用中文，另一份技术资料可以是英文或中文。为提供稳定的大电流脉冲，采用了支撑电容补偿及步进充电的方法，解决IGBT进行VCE饱和压降及续流二极管压降的检测问题。11）动态测试续流二极管用于防止测试过程中的过电压。?压降小于1V?浪涌电流大于20kA?反向***时间小于2μs?工作温度室温～40℃?工作湿度12）安全工作区测试续流二极管?浪涌电流大于20kA?反向***时间小于2μS?工作温度室温～40℃?工作湿度13）被测器件旁路开关被测安全接地开关，设备不运行时，被测接地。?电流能力DC50A?隔离耐压15kV?响应时间150ms?工作方式气动控制?工作气压0.4MPa?工作温度室温～40℃?工作湿度华科便携式测试仪-检修用IGBT测试仪加工由深圳市华科智源科技有限公司提供。数据采集后，后台软件自动及时绘出相应图表，以方便现场判断使用。深圳市华科智源科技有限公司是广东深圳,电子测量仪器的见证者，多年来，公司贯彻执行科学管理、创新发展、诚实守信的方针，满足客户需求。在华科智源***携全体员工热情欢迎各界人士垂询洽谈，共创华科智源更加美好的未来。)