3.6VCES集射极截止电压0~5000V集电极电流ICES：0.01～1mA±3%±0.001mA；1～10mA±2%±0.01mA；10～50mA±1%±0.1mA；集电极电压VCES：0-5000V±1.5%±2V；*3.7ICES集射极截止电流0.01～50mA集电极电压VCES：50～500V±2%±1V；500～5000V±1.5%±2V；集电极电流ICES：0.001～1mA±3%±0.001mA；4验收和测试3)验收试验应在-10～40℃环境温度下进行，验收完成后测试平台及外部组件和装置均应安装在买方的位置上。1～10mA±2%±0.01mA；10～150mA±1%±0.1mA；*3.8VCE(sat)饱和导通压降0.001～10V集电极电流ICE：0-1600A集电极电压VCEs：0.001～10V±0.5%±0.001V栅极电压Vge：5～40V±1%±0.01V集电极电流ICE：0～100A±1%±1A；100～1600A±2%±2A；*3.9Iges栅极漏电流0.01～10μA栅极漏电流IGEs：0.01～10μA±2%±0.005μA栅极电压Vge：±1Ｖ～40V±1%±0.1V；Vce=0V；*3.10VF正向特性测试0.1～5V二极管导通电压Vf：0.1～5V±1%±0.01V电流IF：0～100A±2%±1A；100～1600A±1.5%±2A；三、华科智源IGBT测试仪系统特征：A：测量多种IGBT、MOS管B：脉冲电流1200A，风力发电用IGBT测试仪价格，电压5KV，测试范围广；3-2002印制板的设计和使用GB/T9969-2008工业产品使用说明书总则GB/T6988-2008电气技术用文件的编制GB/T3859。C：脉冲宽度50uS~300uSD：Vce测量精度2mVE：Vce测量范围>10VF：电脑图形显示界面G：智能保护被测量器件H：上位机携带数据库功能I：MOSIGBT内部二极管压降J:一次测试IGBT全部静态参数K:生成测试曲线（IV曲线直观看到IGBT特性，可以做失效分析以及故障***）L:可以进行不同曲线的对比，观测同一批次产品的曲线状态，或者不同厂家同一规格参数的曲线对比；3、系统基本参数3.1电压源：220VAC±10%，50Hz/60Hz20ARMS；3.2加热功能：室温～150℃；3.3测试功能：可测试IGBT模块及FRD；3.4环境温度：25℃±15℃；3.5环境湿度：50%±20%（相对湿度）4、动态测试基本配置4.1集电级电压Vcc：50~1000V；4.2集电极电流Ic：50~1000A***负载；4.3电流持续时间It：10~1000us单个脉冲或双脉冲的总时间；4.4脉冲模式：单脉冲和双脉冲；4.5单电流脉冲的设置：Vcc，风力发电用IGBT测试仪加工，Ic，风力发电用IGBT测试仪批发，电感值（自动计算脉宽）；4.6双电流脉冲的设置：Vcc，Ic，风力发电用IGBT测试仪，电感值，间隙时间（10到50us）(脉宽自动计算)；（开启Qrr测试：第二个脉宽＝间隙时间，10~50us）；4.7设备寄生电感Lint:风力发电用IGBT测试仪加工-华科IGBT栅电荷由深圳市华科智源科技有限公司提供。深圳市华科智源科技有限公司是一家从事“IGBT测试仪,功率器件测试仪,首件检测仪”的公司。自成立以来，我们坚持以“诚信为本，稳健经营”的方针，勇于参与市场的良性竞争，使“华科智源,HUSTEC,”品牌拥有良好口碑。半导体元件除了本身功能要良好之外，其各项参数能否达到电路上的要求，必须定期测量，否则产品的质量特性很难保证，尤其是较大的功率元件，因具有耗损性，易老化及效率降低，因不平衡导致烧毁，甚至在使用中会发生。我们坚持“服务至上，用户至上”的原则，使华科智源在电子测量仪器中赢得了客户的信任，树立了良好的企业形象。特别说明：本信息的图片和资料仅供参考，欢迎联系我们索取准确的资料，谢谢！)