3）IGBT饱和压降/FRD正向导通压降测试电路通态压降测试电路?高压充电电源：10~1500V连续可调?支撑电容：额定电压2kV?饱和通态压降电压探头精度要求：0.1～10V±3%±0.01V?栅极电压输出要求：5～25V±1%±0.01V?集电极电流测试设备精度：200～500A±3%±1A；500～1000A±2%±2A?测试脉冲宽度：0.1~1ms可设定4）栅极漏电流测试电路栅极漏电流测试电路?可调电源：±1Ｖ～±40V±2%±0.1V；?小电流测量设备精度：0.01～10μA±2%±0.005μA?栅极电压Vge：±1Ｖ～40V±1%±0.1V；?1机台可测试器件类型二极管、MOSFET、IGBT单管及模组*3。脉冲时间：40~100ms可设定什么是大功率半导体元件？其用途为何？凡是半导体元件如金属氧化场效晶体管(MOSFET)、IGBT(INSULATEDGATEB.TRANSISTOR)及TRIAC（可控硅）、SCR（晶闸管）、GTO等各型闸流体与二极管(DIODE)等，其工作电流与电压乘积若大于1KW以上，封装用IGBT测试仪，均可属于大功率的范围。如下图片所示。此类元件多用于车船，工厂的动力，封装用IGBT测试仪加工，光电及其他能源的转换上。4MPa电网电压：AC220V±10%无严重谐波，三线制电网频率：50Hz±1Hz。目的和用途该设备用于功率半导体模块（IGBT、FRD、肖特基二极管等）的动态参数测试，封装用IGBT测试仪厂家，以表征器件的动态特性，通过测试夹具的连接，实现模块的动态参数测试。7测试夹具1、控制方式：气动控制2、控温范围：室温—150℃室温—125℃±1。1.2测试对象IGBT、FRD、肖特基二极管等功率半导体模块2.测试参数及指标2.1开关时间测试单元技术条件开通时间测试参数：1、开通时间ton：5～2000ns±3%±3ns2、开通延迟时间td(on)：5～2000ns±3%±3ns3、上升时间tr：5～2000ns±3%±3ns4、开通能量：0.2～1mJ±5%±0.01mJ1～50mJ±5%±0.1mJ50～100mJ±5%±1mJ100～500mJ±5%±2mJ5、开通电流上升率di/dt测量范围：200-10000A/uS6、开通峰值功率Pon：10W～250kW封装用IGBT测试仪-华科轨道交通IGBT由深圳市华科智源科技有限公司提供。深圳市华科智源科技有限公司坚持“以人为本”的企业理念，拥有一支高素质的员工***，力求提供更好的产品和服务回馈社会，并欢迎广大新老客户光临惠顾，真诚合作、共创美好未来。华科智源——您可信赖的朋友，公司地址：深圳市宝安区西乡街道智汇创新中心B座606，联系人：陈少龙。半导体元件全自动测试系统，可以元件在真正工作状态下的电流及电压，并测量重要参数的数据，再与原出厂指标比较，由此来判定元件的好坏或退化的百分比。)