变频器用IGBT测试仪-华科半导体器件测试仪
为何老化的元件必须尽早发现及尽早更换?当功率元件老化时,变频器用IGBT测试仪,元件的内阻在导通时必定会加大,因而使温度升高,变频器用IGBT测试仪厂家,并使其效能降低。长期使用后若温升过高时,会使元件在关闭时的漏电流急遽升高。(因漏电流是以温度的二次方的曲线增加),变频器用IGBT测试仪价格,进而使半导体的接口产生大量崩溃,而将此元件完全烧毁。当元件损毁时,会连带将其驱动电路上的元件或与其并联使用的功率元件一并损伤,所以,必须即早发现更换。3、集电极电压:50~100V±3%±1V100~500V±3%±5V500V~1000V±3%±10V4、栅极驱动电流:满足5A以下测试要求。3)IGBT饱和压降/FRD正向导通压降测试电路通态压降测试电路?高压充电电源:10~1500V连续可调?支撑电容:额定电压2kV?饱和通态压降电压探头精度要求:0.1~10V±3%±0.01V?栅极电压输出要求:5~25V±1%±0.01V?集电极电流测试设备精度:200~500A±3%±1A;500~1000A±2%±2A?测试脉冲宽度:0.1~1ms可设定4)栅极漏电流测试电路栅极漏电流测试电路?可调电源:±1V~±40V±2%±0.1V;?当元件损毁时,会连带将其驱动电路上的元件或与其并联使用的功率元件一并损伤,所以,必须即早发现更换。小电流测量设备精度:0.01~10μA±2%±0.005μA?栅极电压Vge:±1V~40V±1%±0.1V;?脉冲时间:40~100ms可设定变频器用IGBT测试仪-华科半导体器件测试仪由深圳市华科智源科技有限公司提供。深圳市华科智源科技有限公司坚持“以人为本”的企业理念,拥有一支高素质的员工***,力求提供更好的产品和服务回馈社会,并欢迎广大新老客户光临惠顾,真诚合作、共创美好未来。华科智源——您可信赖的朋友,公司地址:深圳市宝安区西乡街道智汇创新中心B座606,联系人:陈少龙。工作湿度9)尖峰***电容用于防止关断瞬态过程中的IGBT器件电压过冲。)
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