为何老化的元件必须尽早发现及尽早更换？当功率元件老化时，元件的内阻在导通时必定会加大，因而使温度升高，并使其效能降低。长期使用后若温升过高时，便携式IGBT测试仪加工，会使元件在关闭时的漏电流急遽升高。(因漏电流是以温度的二次方的曲线增加)，便携式IGBT测试仪，进而使半导体的接口产生大量崩溃，便携式IGBT测试仪批发，而将此元件完全烧毁。2）集射极截止电压/集射极截止电流测试电路集射极截止电压/发射极截止电流测试电路。当元件损毁时，会连带将其驱动电路上的元件或与其并联使用的功率元件一并损伤，所以，必须即早发现更换。参数名称符号参数名称符号开通延迟时间td(on)关断延迟时间td(off)上升时间tr下降时间tf开通时间ton关断时间toff开通损耗Eon关断损耗Eoff栅极电荷Qg短路电流ISC//可测量的FRD动态参数参数名称符号参数名称符号反向***电流IRM反向***电荷Qrr反向***时间trr反向***损耗Erec主要参数测试范围精度要求测试条件Vce集射极电压150～3300V150～500V±3%±1V；500～1000V±2%±2V；1000～3300V±1%±5V；150～3300VIc集射极电流1～200A1～200A±3%±1A；1～200AVge栅极电压-30V～30V-30～0V±1%±0.1V；0～+30V±1%±0.1V-30V～30VQg栅极电荷400~20000nCIg:0～50A±3%±0.1mA;400~20000nCtd(on)、td(off)开通/关断延迟10～1000ns10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5nstr、tf上升/下降时间10～1000ns10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5ns；Eon、Eoff开通/关断能量1～5000mJ1～50mJ±2%±0.1mJ；50～200mJ±2%±1mJ；200～1000mJ±2%±2mJ；1000～5000mJ±1%±5mJ；便携式IGBT测试仪-便携式IGBT测试仪厂家-华科智源由深圳市华科智源科技有限公司提供。深圳市华科智源科技有限公司是从事“IGBT测试仪,功率器件测试仪,首件检测仪”的企业，公司秉承“诚信经营，用心服务”的理念，为您提供更好的产品和服务。欢迎来电咨询！联系人：陈少龙。工作湿度9）尖峰***电容用于防止关断瞬态过程中的IGBT器件电压过冲。)