测量目的：对模块的电压降参数进行检测，可判断模块是否处于正常状态。功率模块的VCE-IC特性曲线会随着器件使用年限的增加而变化，饱和压降Vcesat会逐渐劣化。因此，定期检测可预防发现功率模块故障。且变流器由多个模块组成，由于个体差异，大电流情况下的参数也会存在个体差异。因此，测量大电流情况下的各个模块实际技术参数，进行跟踪管理，可有效保障机车中间直流环节可靠运行。半导体元件有许多参数都很重要，有些参数如：放大倍率，触发参数，闩扣，保持参数，崩溃电压等，是提供给工程师在设计电路时的依据，在检测元件是否有老化的现象时，仅须测量导通参数及漏电流二项即可。IGBT模块VCE-IC特线（单管），Vcesat随电流变大而增大。测试的IGBT参数包括：ICES（漏流）、BVCES（耐压）、IGESF（正向门极漏流）、IGESR（反向门极漏流）、VGETH（门槛电压／阈值）、VGEON（通态门极电压）、VCESAT（饱和压降）、ICON（通态集极漏流）、VF（二极管压降）、GFS（跨导）、rCE（导通电阻）等全直流参数，所有小电流指标保证1%重复测试精度，检修用IGBT测试仪，大电流指标保证2%以内重复测试精度。工作湿度9）尖峰***电容用于防止关断瞬态过程中的IGBT器件电压过冲。半导体元件全自动测试系统，可以元件在真正工作状态下的电流及电压，并测量重要参数的数据，再与原出厂指标比较，由此来判定元件的好坏或退化的百分比。每个电流模块，检修用IGBT测试仪厂家，都具有***的供电系统，以便在测试时，提供内部电路及电池组充电之用；1）可调充电电压源用来给电容器充电，实现连续可调的直流母线电压，满足动态测试、短路电流的测试需求。可选购外部高压模块，执行关闭状态参数测试如：各项崩溃电压与漏电流测量达2KV。华科IGBT静态参数-检修用IGBT测试仪价格由深圳市华科智源科技有限公司提供。“IGBT测试仪,功率器件测试仪,首件检测仪”选择深圳市华科智源科技有限公司，公司位于：深圳市宝安区西乡街道智汇创新中心B座606，多年来，华科智源坚持为客户提供好的服务，联系人：陈少龙。欢迎广大新老客户来电，来函，亲临指导，洽谈业务。华科智源期待成为您的长期合作伙伴！电子电力产品生产、检修厂——应用本公司测试系统可对所应用到的半导体元器件，尤其对现代新型IGBT大功率器件的全参数进行智能化测试、筛选、分析，以确保出厂产品的稳定性、可靠性。)