3）IGBT饱和压降/FRD正向导通压降测试电路通态压降测试电路?高压充电电源：10~1500V连续可调?支撑电容：额定电压2kV?饱和通态压降电压探头精度要求：0.1～10V±3%±0.01V?栅极电压输出要求：5～25V±1%±0.01V?集电极电流测试设备精度：200～500A±3%±1A；500～1000A±2%±2A?测试脉冲宽度：0.1~1ms可设定4）栅极漏电流测试电路栅极漏电流测试电路?可调电源：±1Ｖ～±40V±2%±0.1V；?小电流测量设备精度：0.01～10μA±2%±0.005μA?栅极电压Vge：±1Ｖ～40V±1%±0.1V；6)防护：无较大灰尘，腐蚀或性气体，导电粉尘等空气污染的损害。?脉冲时间：40~100ms可设定华科智源IGBT测试仪制造标准华科智源IGBT测试仪HUSTEC-1200A-MT除满足本技术规格书的要求外，在其设计、制造、试验、检定等制程中还应满足以下标准的版本。(因漏电流是以温度的二次方的曲线增加)，进而使半导体的接口产生大量崩溃，而将此元件完全烧毁。GB/T29332-2012半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）GB13869-2008用电安全导则GB19517-2004***电器设备安全技术规范GB4208-2008外壳防护等级（IP代码）（IEC60529：2001，IDT）GB/T191-2008包装储运图示标志GB/T15139-1994电工设备结构总技术条件GB/T2423电工电子产品环境试验GB/T3797-2005电气控制设备GB/T4588.3-2002印制板的设计和使用GB/T9969-2008工业产品使用说明书总则GB/T6988-2008电气技术用文件的编制GB/T3859.3半导体变流器变压器和电抗器GB/T4023-1997半导体器件分立器件和集成电路第2部分:整流二极管变频器用IGBT测试仪-华科轨道交通IGBT由深圳市华科智源科技有限公司提供。5系统应配有内置ups，保证计算机系统在电网短时间掉电情况下，为系统供电0。深圳市华科智源科技有限公司是广东深圳,电子测量仪器的见证者，多年来，公司贯彻执行科学管理、创新发展、诚实守信的方针，满足客户需求。在华科智源***携全体员工热情欢迎各界人士垂询洽谈，共创华科智源更加美好的未来。)