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变频器用IGBT测试仪-华科IGBT静态参数
产品主要有电力半导体器件、组件、模块(包括IGBT器件、新型SiC器件、功率晶闸管及功率整流管等)的检测及可靠性设备,变频器用IGBT测试仪价格,电气自动化设备,电冶、电化学装置,电力半导体变流装置及各种高、中、低频感应加热电源、感应加热炉,变频器用IGBT测试仪批发,晶闸管高压阀组、GTO、IGBT、IGCT、MOSFET驱动器、远距离光电转换软件控制系统、光电脉冲触发板、IGBT的智能高压驱动板等。01~50mA集电极电压VCES:50~500V±2%±1V。什么是大功率半导体元件?其用途为何?凡是半导体元件如金属氧化场效晶体管(MOSFET)、IGBT(INSULATEDGATEB.TRANSISTOR)及TRIAC(可控硅)、SCR(晶闸管)、GTO等各型闸流体与二极管(DIODE)等,其工作电流与电压乘积若大于1KW以上,均可属于大功率的范围。6)防护:无较大灰尘,腐蚀或性气体,导电粉尘等空气污染的损害。如下图片所示。此类元件多用于车船,工厂的动力,光电及其他能源的转换上。大功率半导体器件为何有老化的问题?任何产品都有设计使用寿命,同一种产品不同的使用环境和是否得到相应的维护,延长产品使用寿命和设备良好运行具有极为重要。2011年,我们在深圳地铁运营公司前海车辆段大修车间,进行了实际的展示与操作,厂方提供了许多元件来测试,其中一部份由于损毁严重,在一开始的功能与元件判别过程,即被判出局,而未进入实质的参数量测,也有全新的IGBT,量测结果完全合乎出厂规格。功率元件由于经常有大电流往复的冲击,变频器用IGBT测试仪,对半导体结构均具有一定的耗损性及***性,变频器用IGBT测试仪加工,若其工作状况又经常在其安全工作区的边缘,更会加速元件的老化程度,故元件老化,就如人的老化一样是不可避免的问题。变频器用IGBT测试仪-华科IGBT静态参数由深圳市华科智源科技有限公司提供。数据采集后,后台软件自动及时绘出相应图表,以方便现场判断使用。深圳市华科智源科技有限公司是广东深圳,电子测量仪器的见证者,多年来,公司贯彻执行科学管理、创新发展、诚实守信的方针,满足客户需求。在华科智源***携全体员工热情欢迎各界人士垂询洽谈,共创华科智源更加美好的未来。)