IGBT静态参数测试部分主要材料技术要求1）阈值电压测试电路阈值电压测试电路（仅示出IEC标准测试电路）?满足表格9测试参数要求?低压开关电源要求：Vcc=12V(针对上图电路)?可调电源：0.1～10V±1%±0.01V；分辨率0.01V?集电极电流测试电路精度：10～50mA±1%±0.5mA；50～200mA±1%±1mA；200～1000mA±1%±2mA；1000～2000mA±1%±5mA；2）集射极截止电压/集射极截止电流测试电路集射极截止电压/发射极截止电流测试电路?高压充电电源：10~2kV连续可调?支撑电容：额定电压2kV?集电极电流ICES：0.01～1mA±3%±0.001mA；1～10mA±2%±0.01mA；10～30mA±1%±0.1mA；IGBT动态参数测试系统技术要求1、设备概述该设备用于功率半导体模块（IGBT、FRD、肖特基二极管等）的动态参数测试，以表征器件的动态特性，通过测试夹具的连接，实现模块的动态参数测试。30～300mA±1%±0.1mA?集电极电压VCES：200～1500V±2%±1V4验收和测试1)验收由双方共同参加，按照技术规范书的技术要求逐项完成所有测试项，封装用IGBT测试仪价格，检验单元是否功能齐全、模块完整、正常运行。由卖方现场安装、测试，买方确认测试合格通过后完成验收。2)卖方负责***和实施整个单元的组装、调试、系统集成工作；负责免费培训并提供培训教材。关断时间测试参数：1、关断时间toff：5～2000ns±3%±3ns2、关断延迟时间td(off)：5～2000ns±3%±3ns3、下降时间tf：5～2000ns±3%±3ns4、关断能量：0。培训后，封装用IGBT测试仪厂家，应能达到用户能基本完全***熟练操作单元进行功率半导体性能测试，并能解决实际工程问题。为何老化的元件必须尽早发现及尽早更换？当功率元件老化时，元件的内阻在导通时必定会加大，因而使温度升高，封装用IGBT测试仪，并使其效能降低。长期使用后若温升过高时，封装用IGBT测试仪批发，会使元件在关闭时的漏电流急遽升高。(因漏电流是以温度的二次方的曲线增加)，进而使半导体的接口产生大量崩溃，而将此元件完全烧毁。当元件损毁时，会连带将其驱动电路上的元件或与其并联使用的功率元件一并损伤，所以，必须即早发现更换。1V-30V～30VQg栅极电荷400~20000nCIg:0～50A±3%±0。封装用IGBT测试仪厂家-华科半导体器件测试仪由深圳市华科智源科技有限公司提供。深圳市华科智源科技有限公司在电子测量仪器这一领域倾注了诸多的热忱和热情，华科智源一直以客户为中心、为客户创造价值的理念、以品质、服务来赢得市场，衷心希望能与社会各界合作，共创成功，共创辉煌。相关业务欢迎垂询，联系人：陈少龙。IGBT模块VCE-IC特线（单管），Vcesat随电流变大而增大。)