11）动态测试续流二极管用于防止测试过程中的过电压。?压降小于1V?浪涌电流大于20kA?反向***时间小于2μs?工作温度室温～40℃?工作湿度12）安全工作区测试续流二极管?浪涌电流大于20kA?反向***时间小于2μS?工作温度室温～40℃?工作湿度13）被测器件旁路开关被测安全接地开关，设备不运行时，封装用IGBT测试仪批发，被测接地。?电流能力DC50A?隔离耐压15kV?响应时间150ms?工作方式气动控制?工作气压0.4MPa?工作温度室温～40℃?工作湿度其中：Vcc试验电压源±VGG栅极电压C1箝位电容Q1陪测器件（实际起作用的是器件中的续流二极管）L负载电感：100uH、200uH、500uH、1000uH自动切换IC集电极电流取样电流传感器DUT被测器件关断时间采用单脉冲测试，由计算机设定并控制输出集电极电压VCC值到被测器件的测试要求值（一般为被测器件额定电压的1/2），设定±VGG到测试要求值，开关被测器件DUT一次，被测器件的开冲持续时间必须保证DUT完全饱和，同时监测集电极电流IC、栅极-发射极电压VGE和集电极-发射极电压VCE，封装用IGBT测试仪加工，记录下被测器件IC、VCE以及VGE的波形，其中，封装用IGBT测试仪，VCE采样到示波器的CH1通道，IC取样到示波器的CH2通道，VGE采样到示波器的CH3通道，示波器通过光通讯方式将测试波形传输给计算机，由计算机对测试波形进行分析与计算，后显示测试结果。1开通：turnon(tdon,tr,di/dt,Ipeak,Eon,Pon)。主要参数测试范围精度要求测试条件Vce集射极电压150～3300V150～500V±3%±1V；500～1000V±2%±2V；1000～3300V±1%±5V；150～3300VIc集射极电流1～200A1～200A±3%±1A；1～200AVge栅极电压-30V～30V-30～0V±1%±0.1V；0～+30V±1%±0.1V-30V～30VQg栅极电荷400~20000nCIg:0～50A±3%±0.1mA;400~20000nCtd(on)、td(off)开通/关断延迟10～1000ns10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5nstr、tf上升/下降时间10～1000ns10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5ns；Eon、Eoff开通/关断能量1～5000mJ1～50mJ±2%±0.1mJ；50～200mJ±2%±1mJ；200～1000mJ±2%±2mJ；1000～5000mJ±1%±5mJ；封装用IGBT测试仪加工-华科IGBT测试仪由深圳市华科智源科技有限公司提供。深圳市华科智源科技有限公司实力不俗，信誉可靠，在广东深圳的电子测量仪器等行业积累了大批忠诚的客户。华科智源带着精益求精的工作态度和不断的完善创新理念和您携手步入辉煌，共创美好未来！01mA栅极电压VGE：0V6）栅极-发射极阈值电压VGEth：1-10V±2%±0。)