主要参数测试范围精度要求测试条件Vce集射极电压150～3300V150～500V±3%±1V；500～1000V±2%±2V；1000～3300V±1%±5V；150～3300VIc集射极电流1～200A1～200A±3%±1A；1～200AVge栅极电压-30V～30V-30～0V±1%±0.1V；0～+30V±1%±0.1V-30V～30VQg栅极电荷400~20000nCIg:0～50A±3%±0.1mA;400~20000nCtd(on)、td(off)开通/关断延迟10～1000ns10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5nstr、tf上升/下降时间10～1000ns10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5ns；Eon、Eoff开通/关断能量1～5000mJ1～50mJ±2%±0.1mJ；50～200mJ±2%±1mJ；200～1000mJ±2%±2mJ；1000～5000mJ±1%±5mJ；测试参数多且完整、应用领域更广泛，但只要使用其基本的2项功能：「开启」电流压降，「关闭」电流的漏电流，轨道交通用IGBT测试仪批发，就可知道大功半导体有没有老化的现象。?可移动型仪器，使用方便，测试简单快速，立即提供测试结果与数值。?适用的半导体元件种类多，轨道交通用IGBT测试仪，尤其能测大功率元件。?用户能确实掌握新采购元件的质量，避免用到瑕疵或品。?完全由计算机控制、快速的设定参数。?适用于实验室和老化筛选的测试。?操作非常简单、速度快。?完全计算机自动判断、自动比对。现今PowerMOSFET(金属氧化物场效晶体管)及IGBT（绝缘栅型场效应晶体管）已成为大功率元件的主流，轨道交通用IGBT测试仪价格，在市场上居于主导地位。由于科技进步，电力电子装置对轻薄短小及之要求，轨道交通用IGBT测试仪厂家，带动MOSFET及IGBT的发展，尤其应用于电气设备、光电、航天、铁路、电力转换..（2）主要技术参数1）基本参数功率源：5000V1200A2）栅极-发射极漏电流IGESIGES：0。..等领域，使半导体开发技术人员在市场需求下，对大功率元件的发展技术，持续在突破。轨道交通用IGBT测试仪批发-华科智源由深圳市华科智源科技有限公司提供。“IGBT测试仪,功率器件测试仪,首件检测仪”选择深圳市华科智源科技有限公司，公司位于：深圳市宝安区西乡街道智汇创新中心B座606，多年来，华科智源坚持为客户提供好的服务，联系人：陈少龙。欢迎广大新老客户来电，来函，亲临指导，洽谈业务。华科智源期待成为您的长期合作伙伴！在调试期间发现元件有缺陷或受到损坏，应由卖方负责免费更换并予以赔偿。)