测试的IGBT参数包括：ICES（漏流）、BVCES（耐压）、IGESF（正向门极漏流）、IGESR（反向门极漏流）、VGETH（门槛电压／阈值）、VGEON（通态门极电压）、VCESAT（饱和压降）、ICON（通态集极漏流）、VF（二极管压降）、GFS（跨导）、rCE（导通电阻）等全直流参数，所有小电流指标保证1%重复测试精度，大电流指标保证2%以内重复测试精度。3机台可测MOS项目Vf、Vdsat、IGSS、Vgth、BVdss、***(on)、Gfs3。半导体元件全自动测试系统，便携式IGBT测试仪价格，可以元件在真正工作状态下的电流及电压，并测量重要参数的数据，便携式IGBT测试仪，再与原出厂指标比较，便携式IGBT测试仪加工，由此来判定元件的好坏或退化的百分比。150～3300VIc集射极电流1～200A1～200A±3%±1A。每个电流模块，都具有***的供电系统，以便在测试时，提供内部电路及电池组充电之用；可选购外部高压模块，执行关闭状态参数测试如：各项崩溃电压与漏电流测量达2KV。表格12动态参数测试部分组成序号组成部分单位数量1可调充电电源套12直流电容器个83动态测试负载电感套14安全工作区测试负载电感套15补充充电回路限流电感L个16短路保护放电回路套17正常放电回路套18高压大功率开关个59尖峰***电容个110主回路正向导通晶闸管个211动态测试续流二极管个212安全工作区测试续流二极管个313被测器件旁路开关个114工控机及操作系统套115数据采集与处理单元套116机柜及其面板套117压接夹具及其配套系统套118加热装置套119其他辅件套1如何执行导通参数与漏电流的量测？?测试条件中待输入的数字，必须依照元件生产厂所提供的规格来输入，而测量结果，亦必须在其所规定的限额内，否则，便为不良品。大功率Igbt模块测试系统简介我公司所设计生产的半导体元件自动测试系统具备下列测试能力：☆可单机***操作，测试范围达2000V及50A。☆外接大电流扩展装置，检测范围可扩展1600A。便携式IGBT测试仪-华科功率器件测试仪由深圳市华科智源科技有限公司提供。便携式IGBT测试仪-华科功率器件测试仪是深圳市华科智源科技有限公司今年新升级推出的，以上图片仅供参考，请您拨打本页面或图片上的联系电话，索取联系人：陈少龙。)