3）IGBT饱和压降/FRD正向导通压降测试电路通态压降测试电路?高压充电电源：10~1500V连续可调?支撑电容：额定电压2kV?用户能对旧品元件作筛选，留下可用元件，确实掌握设备运转的可靠度。饱和通态压降电压探头精度要求：0.1～10V±3%±0.01V?栅极电压输出要求：5～25V±1%±0.01V?集电极电流测试设备精度：200～500A±3%±1A；500～1000A±2%±2A?测试脉冲宽度：0.1~1ms可设定4）栅极漏电流测试电路栅极漏电流测试电路?可调电源：±1Ｖ～±40V±2%±0.1V；?小电流测量设备精度：0.01～10μA±2%±0.005μA?栅极电压Vge：±1Ｖ～40V±1%±0.1V；?脉冲时间：40~100ms可设定表格12动态参数测试部分组成序号组成部分单位数量1可调充电电源套12直流电容器个83动态测试负载电感套14安全工作区测试负载电感套15补充充电回路限流电感L个16短路保护放电回路套17正常放电回路套18高压大功率开关个59尖峰***电容个110主回路正向导通晶闸管个211动态测试续流二极管个212安全工作区测试续流二极管个313被测器件旁路开关个114工控机及操作系统套115数据采集与处理单元套116机柜及其面板套117压接夹具及其配套系统套118加热装置套119其他辅件套1大功率半导体器件为何有老化的问题？任何产品都有设计使用寿命，同一种产品不同的使用环境和是否得到相应的维护，封装用IGBT测试仪，延长产品使用寿命和设备良好运行具有极为重要。2IGBT模块动态测试参数及指标测试单元对IGBT模块和FRD的动态参数及其他参数的定义满足IEC60747-9以及IEC60747-2。功率元件由于经常有大电流往复的冲击，对半导体结构均具有一定的耗损性及***性，封装用IGBT测试仪批发，若其工作状况又经常在其安全工作区的边缘，更会加速元件的老化程度，故元件老化，就如人的老化一样是不可避免的问题。封装用IGBT测试仪-华科IGBT开关测试由深圳市华科智源科技有限公司提供。深圳市华科智源科技有限公司拥有很好的服务与产品，不断地受到新老用户及业内人士的肯定和信任。（2）主要技术参数1）基本参数功率源：5000V1200A2）栅极-发射极漏电流IGESIGES：0。我们公司是商盟认证会员，点击页面的商盟***图标，可以直接与我们***人员对话，愿我们今后的合作愉快！)