现今PowerMOSFET(金属氧化物场效晶体管)及IGBT（绝缘栅型场效应晶体管）已成为大功率元件的主流，在市场上居于主导地位。由于科技进步，电力电子装置对轻薄短小及之要求，大功率IGBT测试仪，带动MOSFET及IGBT的发展，尤其应用于电气设备、光电、航天、铁路、电力转换.TRANSISTOR)及TRIAC（可控硅）、SCR（晶闸管）、GTO等各型闸流体与二极管(DIODE)等，其工作电流与电压乘积若大于1KW以上，均可属于大功率的范围。...等领域，大功率IGBT测试仪批发，使半导体开发技术人员在市场需求下，对大功率元件的发展技术，持续在突破。IGBT静态参数测试部分主要材料技术要求1）阈值电压测试电路阈值电压测试电路（仅示出IEC标准测试电路）?由于科技进步，电力电子装置对轻薄短小及之要求,带动MOSFET及IGBT的发展，尤其应用于电气设备、光电、航天、铁路、电力转换。满足表格9测试参数要求?低压开关电源要求：Vcc=12V(针对上图电路)?可调电源：0.1～10V±1%±0.01V；分辨率0.01V?集电极电流测试电路精度：10～50mA±1%±0.5mA；50～200mA±1%±1mA；200～1000mA±1%±2mA；1000～2000mA±1%±5mA；2）集射极截止电压/集射极截止电流测试电路集射极截止电压/发射极截止电流测试电路?高压充电电源：10~2kV连续可调?支撑电容：额定电压2kV?集电极电流ICES：0.01～1mA±3%±0.001mA；1～10mA±2%±0.01mA；10～30mA±1%±0.1mA；30～300mA±1%±0.1mA?集电极电压VCES：200～1500V±2%±1V华科IGBT静态参数-大功率IGBT测试仪现货供应由深圳市华科智源科技有限公司提供。深圳市华科智源科技有限公司是从事“IGBT测试仪,功率器件测试仪,首件检测仪”的企业，公司秉承“诚信经营，用心服务”的理念，为您提供更好的产品和服务。欢迎来电咨询！联系人：陈少龙。8环境要求环境温度：15～35℃相对湿度：小于70%大气压力：86Kpa～106Kpa压缩空气：不小于0。)