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大功率IGBT测试仪批发-华科IGBT栅电荷
用于安装固定试验回路及单元;主要技术参数要求如下;?风冷系统;?可显示主要电气回路参数及传感器测量值;?可直观监视试验过程,并可兼容高温摄像头;?防护等级:IP40。?面板按钮可以进行紧急操作?机柜颜色:RAL703517)压接夹具及其配套系统?工作压力范围:5~200kN;分辨率0.1kN?上下极板不平行度小于20μm?极板平整度小于10μm?压力可连续调节,施加压力平稳,不可出现加压时压力过冲?安全技术要求:满足GB19517—2009***电气设备安全技术规范;?测试工作电压:10kV(整体设备满足GB19517—2009标准外,局部绝缘电压应满足测试需求)18)其他辅件其中:Vcc试验电压源±VGG栅极电压C1箝位电容Q1陪测器件(实际起作用的是器件中的续流二极管)L负载电感:100uH、200uH、500uH、1000uH自动切换IC集电极电流取样电流传感器DUT被测器件关断时间采用单脉冲测试,由计算机设定并控制输出集电极电压VCC值到被测器件的测试要求值(一般为被测器件额定电压的1/2),设定±VGG到测试要求值,开关被测器件DUT一次,被测器件的开冲持续时间必须保证DUT完全饱和,同时监测集电极电流IC、栅极-发射极电压VGE和集电极-发射极电压VCE,记录下被测器件IC、VCE以及VGE的波形,大功率IGBT测试仪批发,其中,VCE采样到示波器的CH1通道,大功率IGBT测试仪,IC取样到示波器的CH2通道,VGE采样到示波器的CH3通道,示波器通过光通讯方式将测试波形传输给计算机,由计算机对测试波形进行分析与计算,后显示测试结果。凡是半导体元件如金属氧化场效晶体管(MOSFET)、IGBT(INSULATEDGATEB。大功率IGBT测试仪批发-华科IGBT栅电荷由深圳市华科智源科技有限公司提供。深圳市华科智源科技有限公司位于深圳市宝安区西乡街道智汇创新中心B座606。在市场经济的浪潮中拼博和发展,目前华科智源在电子测量仪器中享有良好的声誉。14)工控机及操作系统用于控制及数据处理,采用定制化系统,主要技术参数要求如下:。华科智源取得全网商盟认证,标志着我们的服务和管理水平达到了一个新的高度。华科智源全体员工愿与各界有识之士共同发展,共创美好未来。)