3）IGBT饱和压降/FRD正向导通压降测试电路通态压降测试电路?高压充电电源：10~1500V连续可调?支撑电容：额定电压2kV?饱和通态压降电压探头精度要求：0.1～10V±3%±0.01V?且变流器由多个模块组成，由于个体差异，大电流情况下的参数也会存在个体差异。栅极电压输出要求：5～25V±1%±0.01V?集电极电流测试设备精度：200～500A±3%±1A；500～1000A±2%±2A?测试脉冲宽度：0.1~1ms可设定4）栅极漏电流测试电路栅极漏电流测试电路?可调电源：±1Ｖ～±40V±2%±0.1V；?小电流测量设备精度：0.01～10μA±2%±0.005μA?栅极电压Vge：±1Ｖ～40V±1%±0.1V；?脉冲时间：40~100ms可设定近两年IGBT测试仪持续，新能源汽车，封装用IGBT测试仪，轨道交通，封装用IGBT测试仪价格，风力发电等等都需要大量的IGBT模块，所以我们华科智源推出了大功率IGBT测试仪，可以测试1200A，5000V以内的IGBT模块，基本可以涵盖现阶段的IGBT模块的测试了，封装用IGBT测试仪现货供应，我们IGBT测试仪还可以在线检测模块的电性能参数，对一些检修，维护领域的工作有比较好的帮助，目前国内我们华科智源不光是IGBT静态测试仪，包括动态测试仪，与的设备也可以放在一起竞争了，而且我们不怕竞争，这对我们是一种促进。IGBT动态参数测试系统技术要求1、设备概述该设备用于功率半导体模块（IGBT、FRD、肖特基二极管等）的动态参数测试，以表征器件的动态特性，通过测试夹具的连接，实现模块的动态参数测试。5、***负载5.1有效电感L1002005001000μH；5.2电流Ic100010001000500A；外部电感成阵列的内部连接。（外部电感的H值传给PC，封装用IGBT测试仪加工，以计算电流源的极限，限制脉宽到1000us）。6、标准的双控制极驱动6.1门极电阻可人工预先设定如：2.5Ω，5Ω，10Ω等；6.2开启（Trun-ON）输出电压Vge+：+15V；6.3关断（Trun-ON）输出电压Vge-：-15V；6.4脉宽：10~1000us（单脉冲、双脉冲总时间）；6.5电压开关时间：6.6输出内阻：封装用IGBT测试仪加工-华科智源-封装用IGBT测试仪由深圳市华科智源科技有限公司提供。公司装备精良，具有***的检测手段，产品生产严格按照ISO9001∶2008标准质量管理体系运行，其品质、技术及工艺方面保持国内，部分产品达到国外同类产品的***水平。深圳市华科智源科技有限公司在电子测量仪器这一领域倾注了诸多的热忱和热情，华科智源一直以客户为中心、为客户创造价值的理念、以品质、服务来赢得市场，衷心希望能与社会各界合作，共创成功，共创辉煌。相关业务欢迎垂询，联系人：陈少龙。)