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封装用IGBT测试仪-华科动态参数IGBT
IGBT静态参数测试部分主要材料技术要求1)阈值电压测试电路阈值电压测试电路(仅示出IEC标准测试电路)?满足表格9测试参数要求?低压开关电源要求:Vcc=12V(针对上图电路)?可调电源:0.1~10V±1%±0.01V;分辨率0.01V?集电极电流测试电路精度:10~50mA±1%±0.5mA;50~200mA±1%±1mA;若元件的工作条件超过其参数数据,元件可能会立刻烧毁或造成性的损坏。200~1000mA±1%±2mA;1000~2000mA±1%±5mA;2)集射极截止电压/集射极截止电流测试电路集射极截止电压/发射极截止电流测试电路?高压充电电源:10~2kV连续可调?支撑电容:额定电压2kV?集电极电流ICES:0.01~1mA±3%±0.001mA;1~10mA±2%±0.01mA;10~30mA±1%±0.1mA;30~300mA±1%±0.1mA?集电极电压VCES:200~1500V±2%±1V三、华科智源IGBT测试仪系统特征:A:测量多种IGBT、MOS管B:脉冲电流1200A,封装用IGBT测试仪,电压5KV,封装用IGBT测试仪批发,测试范围广;半导体元件全自动测试系统,可以元件在真正工作状态下的电流及电压,并测量重要参数的数据,再与原出厂指标比较,由此来判定元件的好坏或退化的百分比。C:脉冲宽度50uS~300uSD:Vce测量精度2mVE:Vce测量范围>10VF:电脑图形显示界面G:智能保护被测量器件H:上位机携带数据库功能I:MOSIGBT内部二极管压降J:一次测试IGBT全部静态参数K:生成测试曲线(IV曲线直观看到IGBT特性,可以做失效分析以及故障***)L:可以进行不同曲线的对比,封装用IGBT测试仪厂家,观测同一批次产品的曲线状态,或者不同厂家同一规格参数的曲线对比;华科智源IGBT测试仪针对IGBT的各种静态参数而研制的智能测试系统;自动化程度高(按照操作人员设定的程序自动工作),计算机可以记录测试结果,测试结果可转化为文本格式存储,测试方法灵活(可测试器件以及单个单元和多单元的模块测试),安全稳定(对设备的工作状态进行全程实时监控并与硬件进行互锁),具有安全保护功能,测试速度方便快捷。半导体元器件检测中心——应用本公司测试系统可扩大检测中心的检测范围、提高检测效率,提升检测水平,增加经济效益。封装用IGBT测试仪-华科动态参数IGBT由深圳市华科智源科技有限公司提供。(2)主要技术参数1)基本参数功率源:5000V1200A2)栅极-发射极漏电流IGESIGES:0。深圳市华科智源科技有限公司是广东深圳,电子测量仪器的见证者,多年来,公司贯彻执行科学管理、创新发展、诚实守信的方针,满足客户需求。在华科智源***携全体员工热情欢迎各界人士垂询洽谈,共创华科智源更加美好的未来。)