封装用IGBT测试仪厂家-华科IGBT测试设备
华科智源IGBT电参数测试仪,可用于多种封装形式的IGBT的测试,还可以测量大功率二极管、IGBT模块、大功率IGBT、大功率双极型晶体管等器件的VI特性测试,广泛应用于轨道交通,电动汽车,风力发电,焊机行业的IGBT来料选型和失效分析。测试过程简单,既可以在测试主机里设置参数直接测试,又可以通过软件控制主机编程后进行自动测试。1电压源:220VAC±10%,50Hz/60Hz20ARMS。深圳市华科智源科技有限公司,是一家从事功率半导体测试系统自主研发制造与综合测试分析服务的高新技术企业,坐落于改革开放之都-中国深圳,业务为半导体功率器件智能检测准备研制生产,公司产品主要涉及***T首件检测仪,MOS管直流参数测试仪,MOS管动态参数测试仪,IGBT动态参数测试系统,IGBT静态参数测试仪,在线式检修用IGBT测试仪,变频器检修用IGBT测试仪,IGBT模块测试仪,轨道交通检修用IGBT测试仪,风力发电检修用IGBT测试仪。负载电感配备自动切换开关,可分别接通不同电感值,由计算机控制自动接通。开通特性测试采用双脉冲测试法。由计算机设定并控制输出集电极电压VCC值到被测器件的测试要求值(一般为被测器件额定电压的1/2),设定±VGG到测试要求值,计算机控制接通开关S1,并控制输出被测双脉冲触发信号,开通和关断被测器件两次,被测器件次开通后,集电极电流IC上升,直至被测器件饱和导通且IC达到测试规定值时,关断被测器件(设为t1时刻),之后电感L经二极管(Q1内部二极管)续流,IC迅速减小,直至IC降为零时,第二次开通被测器件(设为t2时刻),此后电感L中的电流向IC转移,IC迅速上升(若L足够大,封装用IGBT测试仪厂家,t1~t2间隔足够短,封装用IGBT测试仪批发,L中的电流可视为恒流),直至被测器件再次达到饱和导通时(设为t3时刻),封装用IGBT测试仪,关断被测器件。5雪崩技术条件1、Vce:50~500V±3%±5V500~1000V±3%±5V2、Ic:1A~50A1A~9。记录下被测器件IC、VCE以及VGE在t2~t3之间的导通波形,其中,VCE采样到示波器的CH1通道,IC取样到示波器的CH2通道,VGE采样到示波器的CH3通道,示波器通过光通讯方式将测试波形传输给计算机,由计算机对测试波形进行分析与计算,后显示测试结果。封装用IGBT测试仪厂家-华科IGBT测试设备由深圳市华科智源科技有限公司提供。深圳市华科智源科技有限公司拥有很好的服务与产品,不断地受到新老用户及业内人士的肯定和信任。(3)设备的功能特点1)各种数据以图形方式在检测时实时显示与记录。我们公司是商盟认证会员,点击页面的商盟***图标,可以直接与我们***人员对话,愿我们今后的合作愉快!)
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