测试参数：ICES集电极-发射极漏电流IGESF正向栅极漏电流IGESR反向栅极漏电流BVCES集电极-发射极击穿电压VGETH栅极-发射极阈值电压VCESAT集电极-发射极饱和电压ICON通态电极电流VGEON通态栅极电压VF二极管正向导通压降整个测试过程自动完成，电脑软件携带数据库管理查询功能，封装用IGBT测试仪加工，可生成测试曲线，方便操作使用。01mA栅极电压Vge：0V4）集电极-发射极饱和电压VCESatVCESat：0。参数名称符号参数名称符号开通延迟时间td(on)关断延迟时间td(off)上升时间tr下降时间tf开通时间ton关断时间toff开通损耗Eon关断损耗Eoff栅极电荷Qg短路电流ISC//可测量的FRD动态参数参数名称符号参数名称符号反向***电流IRM反向***电荷Qrr反向***时间trr反向***损耗Erec4验收和测试1)验收由双方共同参加，按照技术规范书的技术要求逐项完成所有测试项，封装用IGBT测试仪，检验单元是否功能齐全、模块完整、正常运行。由卖方现场安装、测试，封装用IGBT测试仪现货供应，买方确认测试合格通过后完成验收。2)卖方负责***和实施整个单元的组装、调试、系统集成工作；IGBT测试装置技术要求（1）设备功能IGBT模块检测装置是用于IGBT的静态参数测试。负责免费培训并提供培训教材。培训后，应能达到用户能基本完全***熟练操作单元进行功率半导体性能测试，并能解决实际工程问题。华科分立器件测试仪-封装用IGBT测试仪由深圳市华科智源科技有限公司提供。深圳市华科智源科技有限公司坚持“以人为本”的企业理念，拥有一支高素质的员工***，力求提供更好的产品和服务回馈社会，并欢迎广大新老客户光临惠顾，真诚合作、共创美好未来。华科智源——您可信赖的朋友，公司地址：深圳市宝安区西乡街道智汇创新中心B座606，联系人：陈少龙。卖方所提供的元件，必须是经过检验合格的器件，否则，买方有权拒付货款。)