3）IGBT饱和压降/FRD正向导通压降测试电路通态压降测试电路?高压充电电源：10~1500V连续可调?支撑电容：额定电压2kV?饱和通态压降电压探头精度要求：0.1～10V±3%±0.01V?栅极电压输出要求：5～25V±1%±0.01V?（外部电感的H值传给PC，以计算电流源的极限，限制脉宽到1000us）。集电极电流测试设备精度：200～500A±3%±1A；500～1000A±2%±2A?测试脉冲宽度：0.1~1ms可设定4）栅极漏电流测试电路栅极漏电流测试电路?可调电源：±1Ｖ～±40V±2%±0.1V；?小电流测量设备精度：0.01～10μA±2%±0.005μA?栅极电压Vge：±1Ｖ～40V±1%±0.1V；?脉冲时间：40~100ms可设定3.3主要技术要求3.3.1动态参数测试单元技术要求3.3.1.1环境条件1)海拔高度：海拔不超过1000m；2)温度：储存环境温度-20℃～60℃；3)工作环境温度：-5℃～40℃；4)湿度：20%RH至90%RH(无凝露，湿球温度计温度:40℃以下)；5)震动：抗能力按7级设防，地面抗震动能力≤0.5g；6)防护：无较大灰尘，封装用IGBT测试仪加工，腐蚀或性气体，封装用IGBT测试仪现货供应，导电粉尘等空气污染的损害；?航空、电子信息等领域——应用本公司测试系统可对所应用到的元器件，尤其对现代新型IGBT大功率器件的全参数进行智能化测试、筛选、分析，以确保出厂产品的稳定性、可靠性；?机车、汽车、船舶控制系统生产厂——应用本公司测试系统可对所应用到的元器件，尤其对?现代新型IGBT大功率器件的全参数进行智能化测试测试、筛选、分析，封装用IGBT测试仪，以确保出厂产品的稳定性、可靠性；?水力、电力控制系统生产厂——应用本公司测试系统可对所应用到的元器件，尤其对现代新?型IGBT大功率器件的全参数进行智能化测试测试、筛选、分析，?以确保出厂产品的稳定性、可靠性。?优势行业：电力设备、地铁、铁路动力车组和运用大功率半导体器件进行设计、制造的行业。封装用IGBT测试仪加工-华科静态参数IGBT由深圳市华科智源科技有限公司提供。深圳市华科智源科技有限公司是从事“IGBT测试仪,功率器件测试仪,首件检测仪”的企业，公司秉承“诚信经营，用心服务”的理念，为您提供更好的产品和服务。欢迎来电咨询！联系人：陈少龙。01～50mA集电极电压VCES：50～500V±2%±1V。)