Ⅰ类陶瓷的温度特性。重庆陶瓷电容器多层片式陶瓷电容器Ⅰ类陶瓷的温度特性Ⅰ类陶瓷的温度特性以及表明方式Ⅰ类陶瓷的温度容积特性(TCC)十分小，企业通常在ppm/℃，容积较基准值的变动通常远低于1皮法。美国电子器件行业规范选用浙江陶瓷电容器英文字母数据英文字母这类编码方式来表明Ⅰ类陶瓷温度指数。例如常用的C0G。重庆陶瓷电容器C0G意味着的温度指数到底多少钱？C表明电容器温度指数的有效数字为0ppm/℃0表明有效数字的倍乘因素为-1重庆陶瓷电容器(即10的0三次方)G表明随温度转变的输出精度为±30ppm企业视频展播，请点击播放视频作者：四川华瓷科技有限公司重庆陶瓷电容器有哪些优点多层片式陶瓷电容器陶瓷电容器有哪些优点1，陶瓷电容器有较高的使用温度，因此，陶瓷电容器的比热容量相对来说比较大；2，陶瓷电容器的耐潮湿性能比其他类型的电容器的性能更好一些，因此陶瓷电容器的使用范围更广泛一些，可以用在一些潮湿的环境中；3，多层片式陶瓷电容器行业，陶瓷电容器的介质损耗相对来说比较小，多层片式陶瓷电容器的应用，因为它是利用陶瓷作为电的介质的，而且它的电容温度系数的范围比较大，因此，陶瓷电容器还在电子电路中得到了广泛的应用。有一个共同的经验法则，陶瓷电容器的电压应降低至少25%，作为标准，多层片式陶瓷电容器，但在其将暴露于电压纹波效应的环境中，这应增加到至少50%。部件的额定电压应至少为正常运行时可施加在部件上的电压的两倍。更的计算可以通过观察击穿电压和额定电压之间的关系来实现。通常，制造商通过根据经验和判断对击穿电压加上裕度来计算额定电压。击穿电压由陶瓷电容器结构中所用材料的特性和材料中存在的缺陷决定。制造过程的质量越高，击穿电压也就越高——受所用材料的限制。有趣的是，电容值越高，任何制造缺陷对击穿电压的影响就越小。陶瓷基绝缘材料的性能主导了计算；研究表明，金属元素对结果影响不大。击穿电压通常由电介质内部的极化过程决定，而不是由任何穿决定。制造商通过确定元件工作特性内的区域来确定击穿电压。电压相关的质量保持在设备要求的范围内，其预测可靠性在规定范围内。然后，多层片式陶瓷电容器封装方式，设计师应用的任何降额都是制造商降额系数的附加值，用于根据击穿电压计算额定电压。要记住的一件事是，乍一看，过度降低组件的额定值似乎是的策略，但这将导致选择物理上更大或更昂贵的组件。所需的额外电路板空间可能不可行，或可能对电路板的布局和布线造成其他挑战。在可能存在机械振动的环境中，较大的部件也会增加部件内部的风险。与所有的设计决策一样，一些后果需要仔细考虑。多层片式陶瓷电容器封装方式-四川华瓷技术社区由四川华瓷科技有限公司提供。四川华瓷科技有限公司坚持“以人为本”的企业理念，拥有一支高素质的员工***，力求提供更好的产品和服务回馈社会，并欢迎广大新老客户光临惠顾，真诚合作、共创美好未来。四川华瓷MLC技术社区——您可信赖的朋友，公司地址：四川省遂宁高新区中国西部现代物流港JJ-G-04地块标准厂房1号厂房1-2层，联系人：杨见明。)