美国Futurrex的光刻胶北京赛米莱德贸易有限公司供应美国Futurrex新型lift-off光刻胶NR9-3000PY，此款负胶的设计适用于比较宽的波长范围和i线（366纳米）***工具。当显影后显示出负的侧壁角度，是lift-off工艺中比较简易的光刻胶。和其他胶相比NR9i-3000PY有下面的优势：1.比较高的光刻速度，可以定制光刻速度来***产量2.比较高的分辨率和快的显影时间3.根据***能量可以比较容易的调整侧壁角度4.耐温可以达到100摄氏度5.用RR5去胶液可以很容易的去胶NR9-3000PY的制作和工艺是根据职业和环境的安全而设计。主要的溶剂是，NR9-3000PY的显影在水溶液里完成。属固含量（%）：31-35主要溶剂：外观：浅液体涂敷能：均匀的无条纹涂敷100摄氏度热板烘烤300秒后膜厚涂敷自旋速度40秒自旋。光刻胶介绍光刻胶介绍光刻胶(又称光致抗蚀剂)，是指通过紫外光、准分子激光、电子束、离子束、x射线等光源的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀刻材料。光刻胶具有光化学敏***，其经过***、显影、刻蚀等工艺，可以将设计好的微细图形从掩膜版转移到待加工基片。因此光刻胶微细加工技术中的关键性化工材料，被广泛应用于光电信息产业的微细图形线路的加工制作。生产光刻胶的原料包括光引发剂（包括光增感剂、光致产酸剂）、光刻胶树脂、单体和其他助剂等。6，坚膜坚膜也叫后烘，是为了去除由于显影液的浸泡引起胶膜软化、溶胀现象，NR76000P光刻胶哪里有，能使胶膜附着能力增强，NR76000P光刻胶哪家好，康腐蚀能力提高。坚膜温度通常情况高于前烘和***后烘烤的温度100-140度10-30min，NR76000P光刻胶报价，7，显影检验，光刻胶钻蚀、图像尺寸变化、套刻对准不良、光刻胶膜损伤、线条是否齐、陡，针KONG、小岛。8刻蚀就是将涂胶前所垫基的薄膜中没有被光刻胶覆盖和保护的那部分进行腐蚀掉，达到将光刻胶上的图形转移到下层材料的目的。湿法刻蚀，SIO2，NR76000P光刻胶，AL，Poly-Si等薄膜，干法腐蚀。NR76000P光刻胶-赛米莱德由北京赛米莱德贸易有限公司提供。行路致远，砥砺前行。北京赛米莱德贸易有限公司致力成为与您共赢、共生、共同前行的战略伙伴，更矢志成为半导体材料具有竞争力的企业，与您一起飞跃，共同成功!)