技术要求3.1整体技术指标3.1.1功能与测试对象*1）功能GBT模块动态参数测试。*2）测试对象被测器件IGBT模块动态参数。测试温度范围Tj=25°及125°。3.1.2IGBT模块动态测试参数及指标测试单元对IGBT模块和FRD的动态参数及其他参数的定义满足IEC60747-9以及IEC60747-2。以下参数的测试可以在不同的电压等级、电流等级、温度、机械压力、回路寄生电感以及不同的驱动回路参数下进行。测试的IGBT参数包括：ICES（漏流）、BVCES（耐压）、IGESF（正向门极漏流）、IGESR（反向门极漏流）、VGETH（门槛电压／阈值）、VGEON（通态门极电压）、VCESAT（饱和压降）、ICON（通态集极漏流）、VF（二极管压降）、GFS（跨导）、rCE（导通电阻）等全直流参数，所有小电流指标保证1%重复测试精度，大电流指标保证2%以内重复测试精度。1开关时间测试单元技术条件开通时间测试参数：1、开通时间ton：5～2000ns±3%±3ns2、开通延迟时间td(on)：5～2000ns±3%±3ns3、上升时间tr：5～2000ns±3%±3ns4、开通能量：0。半导体元件全自动测试系统，可以元件在真正工作状态下的电流及电压，并测量重要参数的数据，大功率IGBT测试仪，再与原出厂指标比较，由此来判定元件的好坏或退化的百分比。可选购外部高压模块，执行关闭状态参数测试如：各项崩溃电压与漏电流测量达2KV。每个电流模块，都具有***的供电系统，以便在测试时，提供内部电路及电池组充电之用；可选购外部高压模块，执行关闭状态参数测试如：各项崩溃电压与漏电流测量达2KV。为何老化的元件必须尽早发现及尽早更换？当功率元件老化时，大功率IGBT测试仪批发，元件的内阻在导通时必定会加大，因而使温度升高，并使其效能降低。长期使用后若温升过高时，大功率IGBT测试仪厂家，会使元件在关闭时的漏电流急遽升高。01mA栅极电压VGE：0V6）栅极-发射极阈值电压VGEth：1-10V±2%±0。(因漏电流是以温度的二次方的曲线增加)，进而使半导体的接口产生大量崩溃，而将此元件完全烧毁。当元件损毁时，会连带将其驱动电路上的元件或与其并联使用的功率元件一并损伤，所以，必须即早发现更换。大功率IGBT测试仪-大功率IGBT测试仪加工-华科智源由深圳市华科智源科技有限公司提供。深圳市华科智源科技有限公司为客户提供“IGBT测试仪,功率器件测试仪,首件检测仪”等业务，公司拥有“华科智源,HUSTEC,”等品牌，专注于电子测量仪器等行业。，在深圳市宝安区西乡街道智汇创新中心B座606的名声不错。欢迎来电垂询，联系人：陈少龙。01VIF：0-1200A±2%±1AVge：0V。)