半导体元件除了本身功能要良好之外，其各项参数能否达到电路上的要求，必须定期测量，便携式IGBT测试仪价格，否则产品的质量特性很难保证，便携式IGBT测试仪现货供应，尤其是较大的功率元件，便携式IGBT测试仪，因具有耗损性，易老化及效率降低，因不平衡导致烧毁，甚至在使用中会发生。4)湿度：20%RH至90%RH(无凝露，湿球温度计温度:40℃以下)。所以对新产品及使用中的元件参数的筛选及检查更为重要。半导体元件的每一个参数，依其极性的不同，都须要一个的测量电路，我公司所设计生产的半导体元件自动测试系统，具有一组继电器形成的矩阵电路，便携式IGBT测试仪加工，依每个参数的定义，形成千变万化的电路，再依元件的出厂规格加上额定的电流或电压后，在极短的时间内将所须要的数据量测出来，且有些参数从量测的数据经快速运算即可得知其特性是否在规定范围内。IGBT静态参数测试部分主要材料技术要求1）阈值电压测试电路阈值电压测试电路（仅示出IEC标准测试电路）?满足表格9测试参数要求?低压开关电源要求：Vcc=12V(针对上图电路)?可调电源：0.1～10V±1%±0.01V；分辨率0.01V?集电极电流测试电路精度：10～50mA±1%±0.5mA；50～200mA±1%±1mA；TRANSISTOR)及TRIAC（可控硅）、SCR（晶闸管）、GTO等各型闸流体与二极管(DIODE)等，其工作电流与电压乘积若大于1KW以上，均可属于大功率的范围。200～1000mA±1%±2mA；1000～2000mA±1%±5mA；2）集射极截止电压/集射极截止电流测试电路集射极截止电压/发射极截止电流测试电路?高压充电电源：10~2kV连续可调?支撑电容：额定电压2kV?集电极电流ICES：0.01～1mA±3%±0.001mA；1～10mA±2%±0.01mA；10～30mA±1%±0.1mA；30～300mA±1%±0.1mA?集电极电压VCES：200～1500V±2%±1V三、华科智源IGBT测试仪系统特征：A：测量多种IGBT、MOS管B：脉冲电流1200A，电压5KV，测试范围广；1~1ms可设定4）栅极漏电流测试电路栅极漏电流测试电路。C：脉冲宽度50uS~300uSD：Vce测量精度2mVE：Vce测量范围>10VF：电脑图形显示界面G：智能保护被测量器件H：上位机携带数据库功能I：MOSIGBT内部二极管压降J:一次测试IGBT全部静态参数K:生成测试曲线（IV曲线直观看到IGBT特性，可以做失效分析以及故障***）L:可以进行不同曲线的对比，观测同一批次产品的曲线状态，或者不同厂家同一规格参数的曲线对比；便携式IGBT测试仪-便携式IGBT测试仪加工-华科智源由深圳市华科智源科技有限公司提供。可生成器件的I-V特性曲线，曲线上测试点数据可以导出到EXCEL表格。深圳市华科智源科技有限公司实力不俗，信誉可靠，在广东深圳的电子测量仪器等行业积累了大批忠诚的客户。华科智源带着精益求精的工作态度和不断的完善创新理念和您携手步入辉煌，共创美好未来！)