8）高压大功率开关?电流能力200A?隔离耐压10kV?响应时间150ms?脉冲电流20kA（不小于10ms）?工作方式气动控制?工作气压0.4MPa?工作温度室温～40℃?工作湿度9）尖峰抑制电容用于防止关断瞬态过程中的IGBT器件电压过冲。?电容容量200μF?分布电感小于10nH?脉冲电流200A?工作温度室温～40℃?工作湿度三、华科智源IGBT测试仪系统特征：A：测量多种IGBT、MOS管B：脉冲电流1200A，电压5KV，便携式IGBT测试仪，测试范围广；C：脉冲宽度50uS~300uSD：Vce测量精度2mVE：Vce测量范围>10VF：电脑图形显示界面G：智能保护被测量器件H：上位机携带数据库功能I：MOSIGBT内部二极管压降J:一次测试IGBT全部静态参数K:生成测试曲线（IV曲线直观看到IGBT特性，可以做失效分析以及故障***）L:可以进行不同曲线的对比，观测同一批次产品的曲线状态，或者不同厂家同一规格参数的曲线对比；3半导体变流器变压器和电抗器GB/T4023-1997半导体器件分立器件和集成电路第2部分:整流二极管。主要参数测试范围精度要求测试条件Vce集射极电压150～3300V150～500V±3%±1V；500～1000V±2%±2V；1000～3300V±1%±5V；150～3300VIc集射极电流1～200A1～200A±3%±1A；1～200AVge栅极电压-30V～30V-30～0V±1%±0.1V；0～+30V±1%±0.1V-30V～30VQg栅极电荷400~20000nCIg:0～50A±3%±0.1mA;400~20000nCtd(on)、td(off)开通/关断延迟10～1000ns10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5nstr、tf上升/下降时间10～1000ns10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5ns；Eon、Eoff开通/关断能量1～5000mJ1～50mJ±2%±0.1mJ；50～200mJ±2%±1mJ；200～1000mJ±2%±2mJ；1000～5000mJ±1%±5mJ；便携式IGBT测试仪-华科便携式测试台由深圳市华科智源科技有限公司提供。深圳市华科智源科技有限公司拥有很好的服务与产品，不断地受到新老用户及业内人士的肯定和信任。半导体元器件生产厂——应用本公司测试系统可对半导体元器件生产线的成品进行全参数的测试、筛选、分析，以确保出厂产品的合格率。我们公司是商盟认证会员，点击页面的商盟***图标，可以直接与我们***人员对话，愿我们今后的合作愉快！)