华科智源IGBT测试仪制造标准华科智源IGBT测试仪HUSTEC-1200A-MT除满足本技术规格书的要求外，在其设计、制造、试验、检定等制程中还应满足以下标准的版本。负载电感配备自动切换开关，可分别接通不同电感值，由计算机控制自动接通。GB/T29332-2012半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）GB13869-2008用电安全导则GB19517-2004***电器设备安全技术规范GB4208-2008外壳防护等级（IP代码）（IEC60529：2001，IDT）GB/T191-2008包装储运图示标志GB/T15139-1994电工设备结构总技术条件GB/T2423电工电子产品环境试验GB/T3797-2005电气控制设备GB/T4588.3-2002印制板的设计和使用GB/T9969-2008工业产品使用说明书总则GB/T6988-2008电气技术用文件的编制GB/T3859.3半导体变流器变压器和电抗器GB/T4023-1997半导体器件分立器件和集成电路第2部分:整流二极管主要参数测试范围精度要求测试条件Vce集射极电压150～3300V150～500V±3%±1V；500～1000V±2%±2V；1000～3300V±1%±5V；150～3300VIc集射极电流1～200A1～200A±3%±1A；1～200AVge栅极电压-30V～30V-30～0V±1%±0.1V；0～+30V±1%±0.1V-30V～30VQg栅极电荷400~20000nCIg:0～50A±3%±0.1mA;400~20000nCtd(on)、td(off)开通/关断延迟10～1000ns10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5nstr、tf上升/下降时间10～1000ns10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5ns；Eon、Eoff开通/关断能量1～5000mJ1～50mJ±2%±0.1mJ；50～200mJ±2%±1mJ；200～1000mJ±2%±2mJ；1000～5000mJ±1%±5mJ；轨道交通用IGBT测试仪-华科分立器件测试仪由深圳市华科智源科技有限公司提供。轨道交通用IGBT测试仪-华科分立器件测试仪是深圳市华科智源科技有限公司今年新升级推出的，以上图片仅供参考，请您拨打本页面或图片上的联系电话，索取联系人：陈少龙。)