场效应管的参数很多，包括直流参数、交流参数和极限参数，一般使用时关注以下七点主要参数：（1）IDSS—饱和漏源电流；（2）UP—夹断电压；（3）UT—开启电压；（4）gM—跨导；（5）BUDS—漏源击穿电压；（6）PD***—***大耗散功率；（7）ID***—***大漏源电流。如果您对高温MOSFET场效应管感兴趣，欢迎您来电来涵与陕西妙奇微电子科技有限公司联系。高温MOSFET场效应管的交流参数：交流参数可分为输出电阻和低频互导2个参数，输出电阻一般在几十千欧到几百千欧之间，而低频互导一般在十分之几至几毫西的范围内，特殊的可达100mS，MOSFET，甚至更高。低频跨导gm它是描述栅、源电压对漏极电流的控制作用。极间电容场效应管三个电极之间的电容，它的值越小表示管子的性能越好。高温MOSFET（场效应管）的应用优势有：（1）场效应晶体管是电压控制元件，而双极结型晶体管是电流控制元件。在只允许从取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，150度MOSFET现货，又允许从信号源取较多电流的条件下，1200V进口高温MOSFET，应选用双极晶体管；（2）有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，225度MOSFET现货，栅压也可正可负，灵活性比双极晶体管好。如果您的设计中有关于高温MSOFE的选型，欢迎您来电来涵与陕西妙奇微电子科技有限公司联系。150度MOSFET现货-MOSFET-陕西妙奇现货(查看)由陕西妙奇微电子科技有限公司提供。行路致远，砥砺前行。陕西妙奇微电子科技有限公司致力成为与您共赢、共生、共同前行的战略伙伴，更矢志成为集成电路具有竞争力的企业，与您一起飞跃，共同成功!同时本公司还是从事高温器件代理，高温半导体厂家，高温电子器件代理的厂家，欢迎来电咨询。)