主要参数测试范围精度要求测试条件Vce集射极电压150～3300V150～500V±3%±1V；500～1000V±2%±2V；1000～3300V±1%±5V；150～3300VIc集射极电流1～200A1～200A±3%±1A；1～200AVge栅极电压-30V～30V-30～0V±1%±0.1V；0～+30V±1%±0.1V-30V～30VQg栅极电荷400~20000nCIg:0～50A±3%±0.1mA;400~20000nCtd(on)、td(off)开通/关断延迟10～1000ns10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5nstr、tf上升/下降时间10～1000ns10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5ns；Eon、Eoff开通/关断能量1～5000mJ1～50mJ±2%±0.1mJ；50～200mJ±2%±1mJ；200～1000mJ±2%±2mJ；1000～5000mJ±1%±5mJ；目的和用途该设备用于功率半导体模块（IGBT、FRD、肖特基二极管等）的动态参数测试，以表征器件的动态特性，通过测试夹具的连接，大功率IGBT测试仪现货供应，实现模块的动态参数测试。01～50mA集电极电压VCES：50～500V±2%±1V。1.2测试对象IGBT、FRD、肖特基二极管等功率半导体模块2.测试参数及指标2.1开关时间测试单元技术条件开通时间测试参数：1、开通时间ton：5～2000ns±3%±3ns2、开通延迟时间td(on)：5～2000ns±3%±3ns3、上升时间tr：5～2000ns±3%±3ns4、开通能量：0.2～1mJ±5%±0.01mJ1～50mJ±5%±0.1mJ50～100mJ±5%±1mJ100～500mJ±5%±2mJ5、开通电流上升率di/dt测量范围：200-10000A/uS6、开通峰值功率Pon：10W～250kW7、测量配置7.1示波器：美国泰克新5系混合信号示波器（MSO），带宽500MHZ，垂直分辨率12位ADC，4通道；7.2高速电流探头；7.3高压差分探头。8、测试参数应包括8.1开通：turnon(tdon，tr，大功率IGBT测试仪加工，di/dt，Ipeak，Eon，Pon)；8.2关断：turnoff(tdoff，大功率IGBT测试仪厂家，tf，Eoff，Ic，Poff)；8.3反向***(Irr，大功率IGBT测试仪，Trr，di/dt，Qrr，Erec)；8.4栅电荷：采用恒流驱动，电流可调范围：0～100mA；8.5短路（1200Ａmax）；8.6雪崩；8.7NTC(模块)测试：0-20KΩ；8.8主要测试参数精度偏差：大功率IGBT测试仪加工-华科IGBT测试系统由深圳市华科智源科技有限公司提供。深圳市华科智源科技有限公司在电子测量仪器这一领域倾注了诸多的热忱和热情，华科智源一直以客户为中心、为客户创造价值的理念、以品质、服务来赢得市场，衷心希望能与社会各界合作，共创成功，共创辉煌。电子电力产品生产、检修厂——应用本公司测试系统可对所应用到的半导体元器件，尤其对现代新型IGBT大功率器件的全参数进行智能化测试、筛选、分析，以确保出厂产品的稳定性、可靠性。相关业务欢迎垂询，联系人：陈少龙。)