封装用IGBT测试仪批发-华科大功率IGBT
公司拥有一批长期从事自动控制与应用、计算技术与应用、微电子技术、电力电子技术方面的人才。1机台可测试器件类型二极管、MOSFET、IGBT单管及模组*3。公司装备精良,具有***的检测手段,封装用IGBT测试仪批发,产品生产严格按照ISO9001∶2008标准质量管理体系运行,其品质、技术及工艺方面保持国内,部分产品达到国外同类产品的***水平。产品广泛应用于电力、冶金自动化、轨道交通、电力电子新能源开发等行业,部分产品出口到欧美等发达***。3、技术指标*3.1机台可测试器件类型二极管、MOSFET、IGBT单管及模组*3.2机台可测IGBT项目及测试范围VGE(th)栅极阈值电压VCES集射极截止电压ICES集射极截止电流VCE(sat)饱和导通压降Iges栅极漏电流VF二极管导通电压可以测5000V,1600A以下的IGBT模块*3.3机台可测MOS项目Vf、Vdsat、IGSS、Vgth、BVdss、***(on)、Gfs3.4测试项目测量范围测试条件与精度*3.5VGE(th)栅极阈值电压0.1~10VVGE:0.1~10V±1%±0.01V;解析度:0.01V集电极电流Ic:10~50mA±1%±0.5mA;IGBT动态参数测试系统技术要求1、设备概述该设备用于功率半导体模块(IGBT、FRD、肖特基二极管等)的动态参数测试,以表征器件的动态特性,通过测试夹具的连接,实现模块的动态参数测试。50~200mA±1%±1mA;200~1000mA±1%±2mA;测试的IGBT参数包括:ICES(漏流)、BVCES(耐压)、IGESF(正向门极漏流)、IGESR(反向门极漏流)、VGETH(门槛电压/阈值)、VGEON(通态门极电压)、VCESAT(饱和压降)、ICON(通态集极漏流)、VF(二极管压降)、GFS(跨导)、rCE(导通电阻)等全直流参数,封装用IGBT测试仪厂家,所有小电流指标保证1%重复测试精度,封装用IGBT测试仪,大电流指标保证2%以内重复测试精度。数据采集后,后台软件自动及时绘出相应图表,以方便现场判断使用。半导体元件全自动测试系统,可以元件在真正工作状态下的电流及电压,封装用IGBT测试仪价格,并测量重要参数的数据,再与原出厂指标比较,由此来判定元件的好坏或退化的百分比。优势行业:电力设备、地铁、铁路动力车组和运用大功率半导体器件进行设计、制造的行业。每个电流模块,都具有***的供电系统,以便在测试时,提供内部电路及电池组充电之用;可选购外部高压模块,执行关闭状态参数测试如:各项崩溃电压与漏电流测量达2KV。封装用IGBT测试仪批发-华科大功率IGBT由深圳市华科智源科技有限公司提供。深圳市华科智源科技有限公司为客户提供“IGBT测试仪,功率器件测试仪,首件检测仪”等业务,公司拥有“华科智源,HUSTEC,”等品牌,专注于电子测量仪器等行业。用户能对旧品元件作筛选,留下可用元件,确实掌握设备运转的可靠度。,在深圳市宝安区西乡街道智汇创新中心B座606的名声不错。欢迎来电垂询,联系人:陈少龙。)