至成镀膜机多靶离子束溅射镀膜机至成镀膜机多靶离子束溅射镀膜机是研究超导、类金刚石、光学、磁性等高质量薄膜和材料表面改性的光机一体化的现代化镀膜设备。该机采用四靶、双离子源、离子源为考夫曼源。其原理是利用具有1500ev能量的正离子束或中性粒子轰击靶材料，使材料表面的原子和分子从母材中溅射出来，沉积在基片上成膜。可镀制任意材料，包括金属、合金、超导体、半导体、绝缘体等。该机采用80年代刚刚发展起来的离子束溅射技术，利用双离子源、主，对靶材轰击，辅在镀前对基片进行清洗，增强基片的活性，提高结合力及纯度。沉积过程中低能轰击膜，增强沉积原子表面扩散和迁移，减少薄膜结晶结的缺陷，并配有对基片处理的各种功能，如加热、冷却、旋转、激光处理、掩膜等。引出栅φ25mm离子能量，1500ev能量束流大于80mA。卷绕真空镀膜机结构设计应该注意的几个问题真空镀膜机使用的行业不一样，它的机型是不一样的，那么它的结构设计也是有很大的差别。在设计真空镀膜机的时，我们都是要考虑到很多因素，比如：要镀的物件大小，使用的材质，以及它的热点，和其他的一些细节注意事项等，都会影响真空镀膜机的结构设计，那么卷绕真空镀膜机结构设计应该注意那几个问题呢？下面至成真空小编，为大家详细介绍一下：1、提高卷绕速度的问题。卷绕速度即是带状基材运动的线速度，它是卷绕机构的一个主要技术指栎。国内早期镀膜机卷绕速度只有10m/min，现在也只有80m/min～120m/min，在国外日本的EW系列产品中，其卷绕速度已达到300m/min，德国L．H公司生产的镀膜机已达到600m/min，可见随着镀膜技术的发展，卷绕速度有待提高。2、带状基材的线速恒定问题。这一问题也很重要，因为只有卷绕机构保证带状基材的线速恒定，才能使基材上镀层厚度均匀。这一点对制备带状基材的功能性膜（如电容器膜）尤为重要。3、带状基材的跑偏和起褶问题。随着卷绕速度的提高，带状基材在卷绕镀膜过程中，起褶和发生偏斜，严重时会造成基材的断裂，使生产中断，既影响生产效率，又浪费材料。因此，在卷绕机构的设计中应充分考虑这一问题。卷绕镀膜机真空抽气系统分上室下室两组，下室为蒸镀室，要求真空度高，主泵多为油扩散泵。上室为基材卷绕室，要求真空度较低，为罗茨泵机组或扩散泵一罗茨泵一机械泵组。一般蒸镀室要达到的真空度为1x10^-3Pa—2×10^-3Pa，而工作压力为1×10^-2Pa—2×10^-2Pa，而卷绕室真空度通常较蒸镀室低一个数量级。有时卷绕镀膜机以增扩泵（油扩散泵的一种）为主泵，它的极限压力虽然不及油扩散泵，但其抽速范围向高压方向延伸一个数量级，非常适宜此类蒸发的镀膜过程。新型磁控溅射真空镀膜机镀膜工艺磁控溅射真空镀膜机镀膜工艺在镀膜行业无处不在，只要说到镀膜技术，大家都会立刻想到磁控镀膜工艺，磁控溅射真空镀膜机也受到了各大厂家的追捧，磁控溅射镀膜工艺更是受到大家的喜爱，今天至成小编为大家介绍一下磁控溅射镀膜机镀膜工艺。其实从一般的金属靶材溅射、反应溅射、偏压溅射等,伴随着工业需求及新型磁控溅射技术的出现,低压溅射、高速沉积、自支撑溅射沉积、多重表面工程以及脉冲溅射等新型工艺成为目前该领域的发展趋势。低压溅射的关键问题是在低压(一般是指<011Pa)下,电子与气体原子的碰撞几率降低,在常规磁控溅射技术中不足以维持靶材表面的辉光放电,导致溅射沉积无法继续进行。通过优化磁场设计,使得电子空间运动距离延长,非平衡磁控溅射技术可以实现在10-2Pa等级的真空下进行溅射沉积。另外,通过外加电磁场约束电子运动可以实现更低压强下的溅射沉积。进行高速沉积可以极大的提高工作效率、减少工作气体消耗以及获得新型膜层。实现高速沉积主要需要解决的问题是在提高靶材电流密度的同时,不会产生弧光放电;由于功率密度的提高,靶材、衬底的冷却能力需要相应提高等。目前,已经实现了靶材功率密度超过100W/cm2,沉积速率超过1μm/min。)