山东负性光刻胶-北京赛米莱德有限公司-负性光刻胶供应商
NR9-3000PY负性光刻胶四、前烘(SoftBake)完成光刻胶的涂抹之后,需要进行软烘干操作,负性光刻胶厂家,这一步骤也被称为前烘。前烘能够蒸发光刻胶中的溶剂溶剂、能使涂覆的光刻胶更薄。在液态的光刻胶中,溶剂成分占65%-85%。虽然在甩胶之后,液态的光刻胶已经成为固态的薄膜,但仍有10%-30%的溶剂,容易沾污灰尘。通过在较高温度下进行烘培,可以使溶剂从光刻胶中挥发出来(前烘后溶剂含量降至5%左右),从而降低了灰尘的沾污。同时,这一步骤还可以减轻因高速旋转形成的薄膜应力,从而提高光刻胶衬底上的附着性。在前烘过程中,山东负性光刻胶,由于溶剂挥发,光刻胶厚度也会减薄,一般减薄的幅度为10%-20%左右。光刻的工序下面我们来详细介绍一下光刻的工序:一、清洗硅片(WaferClean)清洗硅片的目的是去除污染物去除颗粒、减少其它缺陷,提高光刻胶黏附性基本步骤:化学清洗——漂洗——烘干。自1970年美国RCA实验室提出的浸泡式RCA化学清洗工艺得到了广泛应用,1978年RCA实验室又推出兆声清洗工艺,近几年来以RCA清洗理论为基础的各种清洗技术不断被开发出来,例如:美国FSI公司推出离心喷淋式化学清洗技术、美国原CFM公司推出的Full-Flowsystems封闭式溢流型清洗技术、美国VERTEQ公司推出的介于浸泡与封闭式之间的化学清洗技术(例GoldfingerMach2清洗系统)、美国SSEC公司的双面檫洗技术(例M3304DSS清洗系统)、日本提出无药液的电介离子水清洗技术(用电介超纯离子水清洗)使抛光片表面洁净技术达到了新的水平、以HF/O3为基础的硅片化学清洗技术。问题回馈:1.我们是LED制造商,麻烦推荐几款可以用于离子蚀刻和Lift-off工艺的光刻胶。A据我所知,Futurrex有几款胶很,NR7-1500PNR7-3000P是专门为离子蚀刻设计的,NR9-3000PY可以用于Lift-off上的应用。2.请问有没有可以替代goodpr1518,Micropure去胶液和goodpr显影液的产品?A美国光刻胶,Futurrex正胶PR1-2000A,去胶液RR4,和显影液RD6可以解决以上问题。3.你们是否有可以替代ShipleyS1805的用于DVD的应用产品?A我们建议使用FuturrexPR1-500A,它有几个优点:比较好的解析度,比较好的线宽控制,反射比较少,不需要HMDS,RIE后去除容易等~4.求助,耐高温的光阻是那一种?AFuturrex,NR7serious(负光阻)Orpr1serious(正光阻),再经过HMCTSsilyiationprocess,可以达到耐高温200度,PSPI透明polyimide,可耐高温250度以上。5.厚膜光阻在镀金应用上,用哪一种比较理想?AFuturrex,NR4-8000P比干膜,和其他市面上的湿膜更加适合,和理想。6.请教LIFT-OFF制程哪一种光阻适合?A可以考虑使用Futurrex,正型光阻PR1,负型光阻用NR1&NR7,它们都可以耐高温180度,完全可以取代一般制作PATTERN的光阻。7.请问,那位知道,RIEMask,负性光刻胶公司,用什么光阻比较好?A正型光阻用PR1系列,负型光阻使用NR5,两种都可以耐高温180度。8.一般厚膜制程中,哪一种光阻适合?ANR9-8000P有很高的深宽比(超过4:1),一般厚膜以及,MEMS产品的高需求。9.在DEEPRIE和MASK可以使用NRP9-8000P吗?A建议不使用,因为使用NR5-8000更加理想和适合。10.我们是OLED,我们有一种制程上需要一层SPACER,负性光刻胶供应商,那种光阻适合?A有一种胶很适合,美国Futurrex生产的NR1-3000PYand和NR1-6000PY,都适合在OLED制程中做spacers山东负性光刻胶-北京赛米莱德有限公司-负性光刻胶供应商由北京赛米莱德贸易有限公司提供。北京赛米莱德贸易有限公司实力不俗,信誉可靠,在北京大兴区的工业制品等行业积累了大批忠诚的客户。赛米莱德带着精益求精的工作态度和不断的完善创新理念和您携手步入辉煌,共创美好未来!)
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