第三代半导体测试仪S系列应用优势：1、多功能测量需求下的广泛的适应性，电压高300V，电流低至10pA；2、实现“源”的输出和“表”的测量同步进行，提高测试效率。3、具备对测试器件的保护功能，可进行自我限制，避免因过充而造成的对测试器件的损害；J确的电压电流限制功能，为器件提供完善的保护功能，避免器件损坏。4、触屏图形化操作，使用简单。开放式平台，可根据实际应用的需求而针对性的开发软件。第三代半导体测试仪S系列技术参数Z大输出功率：30W，4象限源或肼模式；源限度：电压源：±30V（≤1A量程），±300V（≤100mA量程）；电流源：±1.05A（≤30V量程），±105mA（≤300V量程）；过量程：105%量程，源和测量；稳定负载电容：<22nF；宽带噪声(20MHz)：2mVRMS（典型值），<20mVVp-p（典型值）；线缆保护电压：输出阻抗1KΩ，输出电压偏移<80uV；Z大采样速率：1000S/s；触发：支持IO触发输入及输出，触发极性可配置；输出接口：前后面板香蕉头插座输出，同一时刻只能用前或者后面板接口；通信口：RS-232、GPIB、以太网；电源：AC100~240V50/60Hz；工作环境：25±10℃；尺寸：106mm高×255mm宽×425mm长；普赛斯第三代半导体测试仪S系列应用：1、微电子行业：晶圆测试和半导体封装测试二个环节；2、光伏电池：IV测试，放电扫描曲线3、锂电池行业：电池充放电性能测试系统环节；4、半导体器件：二极管、三极管、MOS管的电性能测试5、传感器行业：电阻式传感器、电阻应变式传感器、压阻式传感器、霍尔传感器、光敏传感器、酸、碱、盐浓度传感器、电导传感器。6、纳米材料：IV测试、输入曲线、输出曲线7、有机材料：IV测试、输入曲线、输出曲线更多有关第三代半导体测试仪S系列的信息找武汉生产厂家普赛斯仪表一八一四零六六三四七六)