本科生集成电路实验平台实验目的通过实验动手操作，加深对半导体物理理论知识的理解，掌握半导体材料和不同器件性能的表征方法及基本实验技能，培养分析问题和解决问题的能力。本科生集成电路实验平台实验目录实验一：金属-氧化物-半导体场效应晶体管特性IV特性测试实验实验二：四探针法测量半导体电阻率测试实验实验三：MOS电容的CV特性测试实验实验四：半导体霍尔效应测试实验实验实验五：激光二极管LD的LIV特性测试实验实验六：太阳能电池的特性表征实验本科生集成电路实验平台优势满足本科生基础教学实验中微电子器件和材料测试需求测试设备简单易用，Z业Q威，方便学生动手操作核心设备测试精度高，满足新材料和新器件的指标要求测试软件功能齐全，平台化设计，有专人维护支持，与Z业测试软件使用相同架构以基础平台为起点，可逐步升级，满足日益增加的实验室测试需求本科生集成电路实验平台基本功能实验名称测试参数金属-氧化物-半导体场效应晶体管特性的IV特性测试实验l输出特性曲线l转移特性曲线l跨导gml击穿电压BVDSl四探针法测量半导体电阻率测试实验l四探针法电阻率ρl材料阻值RMOS电容的CV特性测试实验（低频+高频）lCV特性曲线半导体霍尔效应测试实验l霍尔电压VHl霍尔电阻率ρl霍尔系数RHl载流子浓度nl霍尔迁移率u激光二极管LD的LIV特性测试lLIV特性曲线l阈值电流Ithl阈值电流对应电压值Vthl拐点Kinkl线性电阻Rs太阳能电池的特性表征l开路电压Vocl短路电流Iscl功率Z大值Pmaxl填充因子FFl转换效率ηl串联电阻Rsl旁路电阻Rsh本科生集成电路实验平台核心测试平台的核心–源测量单元普赛斯国产源表四表合一四象限模式四线/开尔文测试功能小信号测试满足X进器件和材料测试需求交流测试使用LCR表探针台：4寸或6寸手动探针台有关国产源表搭建集成电路实验平台的更多信息请咨询一八一四零六六三四七六联系我们：单位名称：武汉普赛斯仪表有限公司单位地址：武汉市东湖开发区光谷大道308号光谷动力绿色环保产业园8栋2楼联系人：陶女士联系电话：18140663476027-87993690)